[实用新型]一种红外加热装置及互连结构沟槽刻蚀设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种适用于互连结构沟槽刻蚀设备的红外加热装置及互连结构沟槽刻蚀设备。

背景技术

目前由TEL(日本东电电子)推出的型号为VIGUS(制程腔体型号)的刻蚀机台是一体化的互连结构沟槽刻蚀设备，互连结构沟槽刻蚀设备包括反应腔和与反应腔连通的分子泵，在生产过程中，反应腔的上部加热控温在150度，反应腔的下部的分子泵上没有加热装置。在半导体制造过程中，有三道复杂的制程(开孔、去胶、刻槽)在同一个反应腔内完成，会产生多种副产物，其中包括氮化钛。在使用分子泵抽取副产物时，部分副产物随着温度的下降会粘附在腔体下部的侧壁和角落，难以通过分子泵完全排出反应腔；另外分子泵的内部也会粘附大量的副产物，随着分子泵叶片上的附着物增多，会影响分子泵的动平衡，当动平衡低于标时，需要停机维护修理分子泵，导致设备维护成本高，互连结构沟槽刻蚀设备工作效率低。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种给互连结构沟槽刻蚀设备的分子泵加热，避免工艺反应的副产物在分子泵的叶片上沉积，延长分子泵维护周期的红外加热装置及互连结构沟槽刻蚀设备。本实用新型采用如下技术方案：

一种红外加热装置，适用于互连结构沟槽刻蚀设备，所述互连结构沟槽刻蚀设备包括分子泵和设置于所述分子泵上的压力控制阀，所述红外加热装置设置于所述分子泵和所述压力控制阀之间，所述红外加热装置包括：

连接件，为环形结构，设置于所述分子泵和所述压力控制阀之间；

多个通孔，设置于所述连接件的侧壁上并且横向贯通所述连接件的侧壁；

多个加热管，为长条状，分别通过多个所述通孔伸入所述连接件内。

较佳的，上述红外加热装置中，所述加热管包括：

石英管，包括封闭端和开口端，所述封闭端通过所述通孔伸入所述连接件内，所述开口端位于所述连接件的外部；

红外加热器本体，设置于所述石英管内。

较佳的，上述红外加热装置中，所述红外加热器本体为红外加热灯。

较佳的，上述红外加热装置中，所述连接件与所述压力控制阀的端面之间设置有第一密封圈。

较佳的，上述红外加热装置中，于所述连接件朝向所述压力控制阀的端面上设置有一环形的凹槽；

所述第一密封圈设置于所述凹槽内。

较佳的，上述红外加热装置中，每个所述通孔内设置有台阶，所述通孔的内壁上设备有螺纹；

所述红外加热装置还包括：

第二密封圈，套设于所述加热管上并设置于所述台阶上；

锁紧件，为环形结构，套设于所述加热管上并通过螺纹固定在所述通孔内；

所述锁紧件挤压所述第二密封圈。

较佳的，上述红外加热装置中，所述连接件通过螺栓固定在所述分子泵上。

较佳的，上述红外加热装置中，包括两个所述加热管。

还包括，一种互连结构沟槽刻蚀设备，其中，包括上述任一所述的红外加热装置。

上述技术方案的有益效果是：通过红外辐射对分子泵内部加热，避免工艺反应的副产物在分子泵的叶片上沉积，降低设备维护成本，提高互连结构沟槽刻蚀设备的工作效率。

附图说明

图1是本实用新型的较佳的实施例中，互连结构沟槽刻蚀设备的抽真空装置的结构示意图；

图2是本实用新型的较佳的实施例中，一种红外加热装置的剖面图；

图3是本实用新型的较佳的实施例中，一种红外加热装置的俯视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

如图1所示，为本实施例中，互连结构沟槽刻蚀设备的抽真空装置，用于在反应前后对互连结构沟槽刻蚀设备的反应腔进行抽真空，排除反应腔室内的副产物。抽真空装置包括分子泵1、压力控制阀2，分子泵1与反应腔连通，用于对反应腔抽真空，压力控制阀2设置于分子泵1和反应腔之间，用于控制抽真空过程中反应腔内的压力。进一步地，为保证抽真空装置的密封性，于压力控制阀2接触反应腔的端面上，以及于分子泵1接触压力控制阀2的端面上设置密封图。为避免抽真空过程中工艺反应的副产物在分子泵1的叶片上沉积，需要在分子泵1的吸气口处(分子泵1与压力控制阀2之间)设置加热装置。

本实用新型的较佳的实施例中，如图1-3所示，提供一种红外加热装置，适用于上述互连结构沟槽刻蚀设备，红外加热装置设置于分子泵1与压力控制阀2之间，红外加热装置包括：

连接件3，为环形结构，设置于分子泵1与压力控制阀2之间；