[实用新型]一种用于透射电子显微镜的样品载体

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电子显微镜配件，尤其涉及一种透射电子显微镜的样品载体。

背景技术

在半导体制造技术中，透射电子显微镜(TEM)分析是首先利用聚焦离子束(FIB)对样品进行微切割取出掩埋在样品表面的缺陷，并对其进行分析的有效的手段之一。TEM分析的使用大大提高了缺陷分析的时效性，是现在半导体工厂不可缺少的分析方法。

因FIB机台所制备的样品一般步骤为在晶圆上切取长方体样品，将其转移到样品载体上后，通过离子刻蚀达到所需要的厚度，该厚度对于透射电子来说是相对透明的。现有的样品载体为锯齿状结构，样品可放置在锯齿的顶端或侧壁。当样品放置在样品载体侧壁时，因为样品的一边没有支撑，样品在削薄的过程中容易因为应力作用造成弯曲从而影响后续TEM的分析。而当样品放置在锯齿状的顶端时，因为没有保护容易在载体转移时容易造成样品碰落的情况。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的缺陷，提供一种能有效减少样品跌落，并避免样品在打薄过程中因过薄变形的用于透射电子显微镜的样品载体。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：

一种用于透射电子显微镜的样品载体，包括半圆形带两侧左右对称凹槽与中间的台阶状样品放置台；所述样品放置台左右两侧分别与所述凹槽连接；所述样品放置台的每级台阶顶端为样品放置处。

为了进一步优化上述技术方案，本实用新型所采取的技术措施为：

优选的，所述样品载体为金属钼或铜金属箔材质。

优选的，所述样品载体的厚度为50um～100um。

优选的，所述台阶状样品放置台为左右对称两级台阶状样品放置台。

优选的，所述样品放置台用等离子体刻出每级台阶区分标号。

优选的，所述区别标号具体为：字母标记左右位置，数字标记台阶阶数，左右对称两级台阶用A1，A2，B1，B2表示。

优选的，所述样品载体下部设两侧为圆弧形的长方形通孔。

优选的，还包括样品，所述样品底部与样品放置台接触部分用沉积钨固定。

优选的，所述样品为长方体样品，所述长方体样品尺寸为10um×5um×2um。

优选的，所述样品离子刻蚀后小于100nm厚度。

本实用新型采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：

本实用新型公开的电子显微镜的样品载体，样品载体设有台阶状样品放置台，制备的样品可以安放在台阶上，从而避免样品在打薄过程中因过薄变形，并且防止样品在转移过程掉落。

附图说明

图1为现有TEM样品载体的结构示意图；

图2为现有TEM样品放在样品载体侧壁的示意图；

图3为现有样品在打薄过程中因过薄变形照片；

图4为现有TEM样品放在样品载体顶端的示意图；

图5为本实用新型的一种优选实施例的TEM样品载体的结构示意图；

图6为本实用新型的一种优选实施例的TEM样品载体的样品放置示意图；

图7为本实用新型的一种优选实施例的TEM样品载体的样品放置照片；

图8为本实用新型的一种优选实施例的TEM样品载体打薄完成后的照片；

其中的附图标记为：

1凹槽；2样品放置台；3样品；4样品放置处。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步的详细说明。

图1为现有TEM样品载体的结构示意图；图2为现有TEM样品放在样品载体侧壁的示意图；图3为现有样品在打薄过程中因过薄变形照片；图4为现有TEM样品放在样品载体顶端的示意图；图5为本实用新型的一种优选实施例的TEM样品载体的结构示意图；图6为本实用新型的一种优选实施例的TEM样品载体的样品放置示意图；图7为本实用新型的一种优选实施例的TEM样品载体的样品放置照片；图8为本实用新型的一种优选实施例的TEM样品载体打薄完成后的照片。

参见图5-图7所示，在一种较佳的实施例中，示出了一种用于透射电子显微镜的样品载体，其中包括半圆形带两侧左右对称凹槽1与中间的台阶状样品放置台2；所述样品放置台2左右两侧分别与所述凹槽1连接；所述样品放置台2的每级台阶顶端为样品放置处4

本实用新型在上述实施例中具有如下实施方式：

将样品3放置在样品放置台2顶端的的样品放置处4上，再进行离子刻蚀。

进一步，在一种较佳实施例中，所述样品载体为金属钼或铜金属箔材质。