[实用新型]光电探测器

说明书

本实用新型涉及一种光电探测器。包括：SOI衬底11，包括依次层叠设置的Si衬底层(110)、SiO2层(120)和Si层，所述Si层包括水平方向依次排列的N型掺杂区(111)、i型区(112)和P型掺杂区(113)；晶化Ge层(12)，设置于所述i型区(112)表面上；金属电极(13)，所述金属电极(13)分别设置于所述N型掺杂区(111)和所述P型掺杂区(113)之上；SiO2钝化层(14)，设置于所述晶化Ge层(12)和所述Si层之上。本实用新型提供的光电探测器，结构简单，Ge/Si界面缺陷密度低，暗电流小，有利于提高器件的量子效率。

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种光电探测器。

背景技术

光纤通信技术(optical fiber communications)从光通信中脱颖而出，已成为现代通信的主要支柱之一，在现代电信网中起着举足轻重的作用。光纤通信作为一门新兴技术，其近年来发展速度之快、应用面之广是通信史上罕见的，也是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。

光电探测器作为光纤通信的重要器件，对其性能的要求也日益增高。现有技术中的半导体探测器常选用InGaAs和InSb等材料，这种光电探测器的缺点为价格昂贵、导热性能和机械性能较差，且与现有的成熟的Si工艺兼容性差，已经制约了在该领域的发展和应用。因此如何研制出高性能、低成本的光电探测器有着非常重要的意义。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种光电探测器。

本实用新型的一个实施例提供了一种光电探测器，包括：

SOI衬底11，包括依次层叠设置的Si衬底层(110)、SiO2层120和Si层，所述Si层包括水平方向依次排列的N型掺杂区111、i型区112和P型掺杂区113；

晶化Ge层12，设置于所述i型区112表面上；

金属电极13，所述金属电极13分别设置于所述N型掺杂区111和所述P型掺杂区113之上；

SiO2钝化层14，设置于所述晶化Ge层12和所述Si层之上。

在本实用新型的一个实施例中，所述SiO2层120的厚度为1μm。

在本实用新型的一个实施例中，所述金属电极13材料为Cr或者Au或者Ni。

在本实用新型的一个实施例中，所述晶化Ge层12厚度为190～300nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述SiO2钝化层14的厚度为300～350nm。

本实用新型提供的光电探测器，结构简单，Ge/Si界面缺陷密度低，暗电流小，有利于提高器件的量子效率。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种光电探测器的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种激光晶化工艺的示意图；

图3a-图3j为本实用新型实施例提供的一种光电探测器的制备工艺示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例一