[实用新型]一种共晶芯片的放置装置有效
| 申请号： | 201721012320.4 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN207398095U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 龙秀森;周永俊;李跃星;刘耿烨 | 申请（专利权）人： | 湖南时变通讯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 411100 湖南省湘潭*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 放置 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种共晶芯片的放置装置，其特征在于，包括：主体和用于放置共晶芯片槽孔；
所述槽孔设置在所述主体上表面；
所述槽孔的深度小于所述共晶芯片的厚度；
当所述共晶芯片放入所述槽孔后，所述槽孔壁与所述共晶芯片之间的各处距离均小于镊子尖部的厚度。
2.根据权利要求1所述的共晶芯片的放置装置，其特征在于，所述槽孔的深度为所述共晶芯片厚度的十分之一至五分之一。
3.根据权利要求1所述的共晶芯片的放置装置，其特征在于，所述槽孔的形状种类为至少一种。
4.根据权利要求3所述的共晶芯片的放置装置，其特征在于，每种所述槽孔的数量为至少一个。
5.根据权利要求4所述的共晶芯片的放置装置，其特征在于，所述槽孔在所述主体上表面上呈阵列排布。
6.根据权利要求1所述的共晶芯片的放置装置，其特征在于，所述主体上表面的四周设置有壁沿；
所述壁沿凸出于所述主体上表面，用于围挡从所述槽孔中脱离的所述共晶芯片。
7.根据权利要求6所述的共晶芯片的放置装置，其特征在于，所述壁沿与所述主体为一体结构。
8.根据权利要求7所述的共晶芯片的放置装置，其特征在于，所述壁沿与所述主体上表面的高度差在0.9mm至1.1mm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
