[实用新型]一种共晶芯片的放置装置

说明书

本实用新型公开了一种共晶芯片的放置装置，包括主体和用于放置共晶芯片槽孔，所述槽孔设置在所述主体上表面，所述槽孔的深度小于所述共晶芯片的厚度，当所述共晶芯片放入所述槽孔后，所述槽孔壁与所述共晶芯片之间的各处距离均小于镊子尖部的厚度，解决了现有的共晶芯片因与底座接触不好存在空隙导致共晶芯片空洞率过高，进而影响共晶芯片工作时性能发挥的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及共晶焊接技术领域，尤其涉及一种共晶芯片的放置装置。

背景技术

共晶焊接是指利用共晶合金的特性来完成焊接工艺。共晶焊接技术在电子封装行业得到广泛应用，如芯片与基板的粘接、基板与管壳的粘接、管壳封帽等等。与传统的环氧导电胶粘接相比，共晶焊接具有热导率高、电阻小、传热快、可靠性强、粘接后剪切力大的优点，适用于高频、大功率器件中芯片与基板、基板与管壳的互联。对于有较高散热要求的功率器件必须采用共晶焊接。

在共晶焊接过程中，需要用到镊子夹持共晶芯片后再共晶焊接，而镊子的尖部在夹持共晶芯片时可能超出共晶芯片底部，从而会造成共晶操作中共晶芯片与底座接触不好存在空隙，而导致其空洞率过高，影响共晶芯片工作时的性能发挥。

实用新型内容

本实用新型公开了一种共晶芯片的放置装置，解决了现有的共晶芯片因与底座接触不好存在空隙导致共晶芯片空洞率过高，进而影响共晶芯片工作时性能发挥的技术问题。

本实用新型提供了一种共晶芯片的放置装置，包括：主体和用于放置共晶芯片槽孔；

所述槽孔设置在所述主体上表面；

所述槽孔的深度小于所述共晶芯片的厚度；

当所述共晶芯片放入所述槽孔后，所述槽孔壁与所述共晶芯片之间的各处距离均小于镊子尖部的厚度；

优选地，

所述槽孔的深度为所述共晶芯片厚度的十分之一至五分之一。

优选地，

所述槽孔的形状种类为至少一种。

优选地，

每种所述槽孔的数量为至少一个。

优选地，

所述槽孔在所述主体上表面上呈阵列排布。

优选地，

所述主体上表面的四周设置有壁沿；

所述壁沿凸出于所述主体上表面，用于围挡从所述槽孔中脱离的所述共晶芯片。

优选地，

所述壁沿与所述主体为一体结构。

优选地，

所述壁沿与所述主体上表面的高度差在0.9mm至1.1mm之间。

从以上技术方案可以看出，本实用新型具有以下优点：

在主体上表面设置用于放置共晶芯片的槽孔，槽孔的深度小于共晶芯片的厚度，当共晶芯片放入槽孔后，槽孔壁与共晶芯片之间的各处距离均小于镊子尖部的厚度，所以在用镊子夹取共晶芯片的时候，镊子尖部只能接触到槽孔两侧的主体上表面，不可能超出共晶芯片底部，解决了现有的共晶芯片因与底座接触不好存在空隙导致共晶芯片空洞率过高，进而影响共晶芯片工作时性能发挥的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。