[实用新型]一种功率半导体器件的复合型耐压环结构有效
| 申请号： | 201721034260.6 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN207474466U | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;徐吉程;范玮 | 申请（专利权）人： | 西安华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场限环 延展区 环结构 耐压 功率半导体器件 本实用新型 横向连接 体内 反向漏电流 表面电场 横向相邻 击穿电压 两侧位置 电场 结电容 结终端 外延层 底面 侧面 延伸 优化 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，其特征在于，包括至少一个耐压环结构，每个耐压环结构包括第一场限环、与所述第一场限环横向连接的pn结延展区、与所述pn结延展区横向相邻且连接的第二场限环，所述第一场限环和所述第二场限环位于所述pn结延展区两侧位置，其中，所述pn结延展区与所述第一场限环和所述第二场限环的侧面和底面同时接触。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，其特征在于，所述pn结延展区与所述第一场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述第一场限环的掺杂浓度。
3.根据权利要求1或2所述的一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，其特征在于，所述第二场限环与所述pn结延展区的掺杂类型相同，且掺杂浓度高于所述pn结延展区的掺杂浓度。
4.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，其特征在于，所述第一场限环和所述第二场限环的掺杂浓度相同。
5.根据权利要求4所述的一种功率半导体器件的复合型耐压环结构，其特征在于，所述pn结延展区的结深大于所述第一场限环和所述第二场限环的结深，所述第二场限环的结深与所述第一场限环的结深相同。
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