[实用新型]一种中孔形环形磁体组件有效

专利信息
申请号: 201721050229.1 申请日: 2017-08-22
公开(公告)号: CN207038278U 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 程文清;吴志坚;代华进 申请(专利权)人: 成都银河磁体股份有限公司
主分类号: H01F7/02 分类号: H01F7/02;H01F41/02
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,庞启成
地址: 611731 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 中孔形 环形 磁体 组件
【说明书】:

技术领域

本申请涉及磁体应用技术领域,具体涉及一种中孔形环形磁体组件。

背景技术

磁体广泛运用于各种电器设备中,在磁体使用时,为了防水或防潮的考虑,通常需要在磁体外设置包覆层,而包覆层的设置,必须需要满足将磁体完全包覆,且包覆层需要将磁体完全密封在内,在包覆层上不能存在有缺口或者间隙,否则水或者潮湿气体会由缝隙进入包覆层,汇集在包覆层,进而严重恶化磁体的相应使用性能和寿命。

为了满足上述的将磁体完全密封在内要求,目前是通过注塑的方式在磁体外裹覆形成一层包覆层,由于注塑过程中,需要对磁体进行定位,在定位处又会留下未被浇筑的空隙,需要在后续工序中封堵这些空隙。采用这样的方式,其封闭效果较差,封堵部件与包覆层之间分分体式的结构,当磁体组件运用于常动部件时,例如作为转子组件时,随着使用时间的增长和运转过程中带来的振动,容易在封堵部件与包覆层之间形成间隙,进而降低密封效果,所以目前的磁体组件,其包覆层密封效果并不可靠。

发明内容

本申请的目的在于:针对目前磁体组件存在包覆层密封效果不可靠的不足,提供一种中孔形环形磁体组件。

为了实现上述发明目的,本申请提供了以下技术方案:

一种中孔形环形磁体组件,包括环形磁体、一次注塑体和二次注塑体,所述一次注塑体与二次注塑体配合将所述环形磁体封闭在内,在所述一次注塑体与二次注塑体的配合处形成有密封结构。

本申请的中孔形环形磁体组件,通过两次注塑的方式,形成一次注塑体和二次注塑体,将环形磁体封闭在内,并且,在一次注塑体与二次注塑体的配合处形成有密封结构,如此,提高了对环形磁体被密封可靠性。

优选的,所述密封结构包括环状凹槽和与所述环状凹槽相配合的环状凸起。环状凸起陷入环状凹槽内,形成密封结构,进一步保证密封的可靠性。

优选的,所述环状凹槽绕所述环形磁体呈环状。即,在环绕环形磁体的圆周上形成密封结构,进一步的保证密封的可靠性。

优选的,所述一次注塑体的外壁与所述环形磁体的内壁配合,所述二次注塑体与所述环形磁体的外壁配合,所述二次注塑的端部将所述环形磁体的端部和一次注塑体的端部包覆在内。

优选的,所述环状凹槽为至少一个,每一个所述环状凹槽都对应有一个环状凸起。当环状凹槽为多个时,采用多个环状凸起与多个环状凹槽配合的方式,进一步的提高对环形磁体的密封效果。

优选的,所述环状凹槽设置在所述一次注塑体的端部,所述环状凸起设置在所述二次注塑体上。

优选的,所述环状凸起与所述二次注塑体为采用一次注塑成型制得。

作为另一种优选方案,所述环状凸起设置在所述一次注塑体上,所述环状凹槽设置在所述二次注塑体上。

优选的,所述环状凸起与所述一次注塑体为采用一次注塑成型制得。

采用上述的方式,在实际制作过程中,先注塑得到一次注塑体,在一次注塑体上形成有环状凹槽或者环状凸起,然后在进行二次注塑得到二次注塑体,在进行二次注塑时,当一次注塑体上是环状凹槽时,在二次注塑体上即形成凸起;而一次注塑体上是环状凸起时,在二次注塑体上即相应的形成与环状凸起相配合的环状凹槽,采用该种方式,一方面是增加了一次注塑体与二次注塑体之间的接触面积,提高一次注塑体与二次注塑体的连接强度,另一方面,环状凸起与环状凹槽的配合,形成隔断,进而形成良好的密封结构。

优选的,所述环形磁体为磁钢。

优选的,所述一次注塑体上还设置有轴孔。在一次注塑体上设置轴孔,方便本申请中孔形环形磁体组件与轴的配合。

与现有技术相比,本申请的有益效果:

本申请的中孔形环形磁体组件,通过两次注塑的方式,形成一次注塑体和二次注塑体,将环形磁体封闭在内,并且,在一次注塑体与二次注塑体的配合处形成有密封结构,如此,提高了对环形磁体被密封可靠性。

附图说明:

图1为本申请环形磁体的结构示意图;

图2为环形磁体注塑一次注塑体后的结构示意图;

图3为环形磁体注塑二次注塑体后的结构示意图,

附图标记:1-环形磁体,2-一次注塑体,3-二次注塑体,4-环状凹槽,5-轴。

具体实施方式

下面结合试验例及具体实施方式对本申请作进一步的详细描述。但不应将此理解为本申请上述主题的范围仅限于以下的实施例,凡基于本申请内容所实现的技术均属于本申请的范围。

实施例1,如图所示:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都银河磁体股份有限公司,未经成都银河磁体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721050229.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top