[实用新型]用于化学气相成膜的晶圆传送腔室及晶圆镀膜设备有效
申请号: | 201721059382.0 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN207068813U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 胡广严;吴龙江;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 化学 相成 传送 镀膜 设备 | ||
1.一种用于化学气相成膜的晶圆传送腔室,其特征在于,包括:
腔室本体;
腔室盖,固定设置于所述腔室本体,与所述腔室本体围成适于容纳晶圆的容纳腔;
加热元件,固定设置于所述腔室盖,能够升温以加热所述腔室盖。
2.如权利要求1所述的晶圆传送腔室,其特征在于,所述加热元件固定设置在所述腔室盖的内部;和/或,固定设置在所述腔室盖的内表面;和/或,固定设置在所述腔室盖的外表面。
3.如权利要求1或2所述的晶圆传送腔室,其特征在于,所述加热元件为电热元件。
4.如权利要求1所述的晶圆传送腔室,其特征在于,还包括隔热件,所述隔热件覆盖于所述腔室盖的外表面。
5.如权利要求1所述的晶圆传送腔室,其特征在于,还包括充气管,所述充气管连通容纳腔和外界,适于对所述容纳腔进行充气。
6.如权利要求5所述的晶圆传送腔室,其特征在于,所述充气管延伸至所述容纳腔内,位于容纳腔内的所述充气管的端部朝向所述腔室盖的内表面。
7.如权利要求1所述的晶圆传送腔室,其特征在于,从所述腔室盖内表面的中心位置至所述腔室盖内表面的周边位置,所述内表面与所述腔室本体之间的高度差逐渐减小。
8.如权利要求7所述的晶圆传送腔室,其特征在于,所述腔室盖的内表面为圆锥面或者球形面。
9.如权利要求1所述的晶圆传送腔室,其特征在于,所述腔室盖的内表面涂覆有防粘附涂层。
10.如权利要求1所述的晶圆传送腔室,其特征在于,所述腔室本体包括底壁和周向围绕所述底壁的侧壁,所述加热元件还固定设置于所述侧壁,能够升温以加热所述侧壁。
11.一种晶圆镀膜设备,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的晶圆传送腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造