[实用新型]用于化学气相成膜的晶圆传送腔室及晶圆镀膜设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种用于化学气相成膜的晶圆传送腔室及晶圆镀膜设备。

背景技术

晶圆镀膜设备一般包括晶圆传送腔室和晶圆反应腔室。在半导体加工工艺中，待加工的晶圆首先被放置于传送腔室内，再利用传输机构将晶圆从传送腔室输送至反应腔室。处于反应腔室中的晶圆被化学气相镀膜(Chemical Vapor Deposition,CVD)，待晶圆在反应腔室中被镀膜之后，利用传输机构将晶圆输送至传送腔室，最后将镀膜后的晶圆从传送腔室中取出。

但是，晶圆镀膜设备在使用一段时间之后，传送腔室中往往会聚集一部分杂质，杂质会粘附在传送腔室的腔室盖的内表面，附着于腔室盖的杂质在重力作用下有可能掉落在晶圆上，污染晶圆，产生缺陷，导致产品不良。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是现有技术中的晶圆传送腔室内会聚集一部分杂质，容易污染晶圆，导致产品不良。

为解决上述问题，本实用新型提供一种用于化学气相成膜的晶圆传送腔室，包括：腔室本体；腔室盖，固定设置于所述腔室本体，与所述腔室本体围成适于容纳晶圆的容纳腔；加热元件，固定设置于所述腔室盖，能够升温以加热所述腔室盖。

可选的，所述加热元件固定设置在所述腔室盖的内部；和/或，固定设置在所述腔室盖的内表面；和/或，固定设置在所述腔室盖的外表面。

可选的，所述加热元件为电热元件。

可选的，所述晶圆传送腔室还包括隔热件，所述隔热件覆盖于所述腔室盖的外表面。

可选的，所述晶圆传送腔室还包括充气管，所述充气管连通容纳腔和外界，适于对所述容纳腔进行充气。

可选的，所述充气管延伸至所述容纳腔内，位于容纳腔内的所述充气管的端部朝向所述腔室盖的内表面。

可选的，从所述腔室盖内表面的中心位置至所述腔室盖内表面的周边位置，所述内表面与所述腔室本体之间的高度差逐渐减小。

可选的，所述腔室盖的内表面为圆锥面或者球形面。

可选的，所述腔室盖的内表面涂覆有防粘附涂层。

可选的，所述腔室本体包括底壁和周向围绕所述底壁的侧壁，所述加热元件还固定设置于所述侧壁，能够升温以加热所述侧壁。

为解决上述技术问题，本技术方案还提供一种晶圆镀膜设备，包括以上所述的晶圆传送腔室。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：

所述的晶圆传送腔室，通过在腔室盖固定设置加热元件，加热元件能够升温以加热腔室。因此，当晶圆在反应腔室中被镀膜后，传输机构将晶圆从反应腔室传送至传送腔室的过程中，化学气相镀膜过程中所剩余的气相化合物和生成的附加产物会扩展至传送腔室内，此时，通过控制加热元件升温，从而能够加热腔室盖，当腔室盖具有较高的温度时，不易使气相化合物和附加产物冷凝成为杂质而粘附在腔室盖的内表面，因而能够避免污染晶圆。

进一步的，将腔室盖的内表面设计为：从腔室盖内表面的中心位置至腔室盖内表面的周边位置，所述腔室盖内表面与所述腔室本体之间的高度差逐渐减小，因此，即使有一部分气相化合物和附加产物在腔室盖的内表面冷凝生成杂质时，所冷凝的杂质也会因重力作用从所述中心位置流向周边位置，由于晶圆处于容纳腔的中心区域，位于周边位置的杂质也不会掉落在晶圆上，从而进一步避免晶圆遭受污染。

进一步的，通过在腔室盖的外表面设置隔热件，隔热件适于隔绝腔室盖和外界，能够避免将温度较高的腔室盖暴露在外，烫伤工作人员。同时，还能够避免腔室盖的热量传递至外界，造成能量的损失。

附图说明

图1是本实用新型第一实施例晶圆传送腔室的剖切图，以显示晶圆传送腔室的内部结构；

图2是本实用新型第一实施例晶圆传送腔室中腔室本体的立体结构图；

图3是本实用新型第一实施例晶圆传送腔室中腔室盖的立体结构图；

图4是本实用新型第二实施例晶圆传送腔室的剖切图，以显示晶圆传送腔室的内部结构。

具体实施方式

晶圆镀膜设备一般处于洁净度要求较高的环境中，晶圆传送腔室内的杂质不是外界环境所引入的杂质，而是在晶圆镀膜过程中所产生的。

发明人经研究发现：当晶圆在反应腔室内化学气相镀膜时，含有薄膜元素的气相化合物(例如碳氢化合物)被排入至反应腔室中，化合物在晶圆表面上发生化学反应生成薄膜。此时的反应腔室具有较高的温度(约400℃－500℃)以利于发生化学反应。