[实用新型]一种半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构预定义所需要的层间介质层的第一厚度，所述半导体结构包括：

单元集成层；

线路结构，形成于所述单元集成层的上表面；

具有由第二厚度减薄至第三厚度的第一层间介质层，形成于所述单元集成层的上表面，所述第一层间介质层包覆所述线路结构，所述的减薄包含所述第一层间介质层以化学机械研磨方法过度研磨，以获得表面平坦化的第一层间介质层，所述第一厚度小于所述第二厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度；以及

具有第四厚度的第二层间介质层，补偿沉积于具有所述第三厚度的第一层间介质层的表面，所述第二层间介质层修复所述第一层间介质层研磨产生的表面缺陷，所述第二层间介质层与所述第一层间介质层两者叠加为所述半导体结构所需要的层间介质层，并且所述第四厚度小于等于所述第三厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述线路结构的第五厚度小于所述第一层间介质层的所述第三厚度，并且所述第一层间介质层与所述第二层间介质层覆盖于所述线路结构上的厚度在300～1000埃。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二层间介质层的材料与所述第一层间介质层的材料相同。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一层间介质层以及所述第二层间介质层的材料均为氧化硅。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二层间介质层的所述第四厚度大于所述表面缺陷的深度，以填补并修复所述表面缺陷，且所述第二层间介质层的所述第四厚度依据所述第一层间介质层的所述第三厚度调控，以使所述第二层间介质层的所述第四厚度与所述第一层间介质层的所述第三厚度之和为所述半导体结构所需要的层间介质层的所述第一厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二层间介质层的所述第四厚度为300～1000埃，以修复所述表面缺陷并提供所述半导体结构所需要的层间介质层的平坦化 表面。