[实用新型]一种半导体结构

说明书

本实用新型提供一种半导体结构，包括单元集成层；线路结构，形成于单元集成层上表面；具有由第二厚度减薄至第三厚度的第一层间介质层，第一层间介质层包覆线路结构，减薄以获得表面平坦化的第一层间介质层，第一厚度小于第二厚度，第三厚度小于第一厚度；及具有第四厚度的第二层间介质层，补偿沉积于具有第三厚度的第一层间介质层的表面，第二层间介质层修复第一层间介质层研磨产生的表面缺陷，第二层间介质层与第一层间介质层两者叠加为半导体结构所需要的层间介质层，第四厚度小于等于第三厚度。通过上述方案，本实用新型可以减少层间介质层中产生的刮伤，并提高产品良率，并降低了生产成本，实现了层间介质层厚度的精确控制。

技术领域

本实用新型属于半导体工艺技术领域，特别是涉及一种半导体结构。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互联层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由IBM公司首创的化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺就是在无尘室的大气环境中，利用机械力对晶圆表面作用，在表面薄膜层产生断裂腐蚀的动力，使晶圆表面趋于平坦化，以便进行后续的工艺步骤(如光刻)，而这部分必须籍由研磨液中的化学物质通过反应来增加其蚀刻的效率。CMP制程中最重要的两大组件便是研磨液(slurry)和研磨垫(platen)。研磨液通常是将一些很细的氧化物粉粒分散在水溶液中而制成，在CMP制程中，先让研磨液填充在研磨垫的空隙中，并提供了高转速的条件，让晶圆在高速旋转下和研磨垫与研磨液中的粉粒作用，同时控制下压的压力等其它参数，而研磨液、晶圆与研磨垫之间的相互作用，便是CMP中发生反应的焦点。

而现有的半导体制造工艺中，介电层(Interlayer Dielectrics，ILD)等的化学机械研磨，对于后继的半导体制作工艺步骤而言，具有均匀平坦的层间介质层是非常重要的，但是，经过化学机械研磨之后，层间介质层会产生大量的刮伤，会对产品良率造成很大的影响，并且现有的层间介质层的化学机械研磨形成过程中，需要较厚的原始层，这不仅增加了工艺的复杂性，也提高了加工成本。例如，在某半导体器件结构中，需要形成3000埃厚度的层间介质层，按照传统的化学机械研磨工艺，首先在该半导体器件结构表面形成一层9000埃厚度的原始层间介质层，接着，在碱性研磨液(如SS25E)下进行化学机械研磨至3000埃，才可以得到平坦化的层间介质层，其中，所述碱性研磨液的pH值大于10，其研磨需要去掉6000埃厚度的介质层，研磨时间大于120秒，产生大量的刮伤现象，良率较低。

因此，提供一种改进的层间介质层的表面平坦方法以减少研磨产生的刮伤以及降低生产成本实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体结构，用于解决 现有技术中层间介质层表面平坦化时产生刮伤等缺陷以及成本高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种层间介质层的表面平坦方法，包括如下步骤：

1)提供一半导体结构，所述半导体结构预定义所需要的层间介质层的第一厚度，于所述半导体结构的单元集成层的上表面形成具有第二厚度的第一层间介质层，所述第一厚度小于所述第二厚度；

2)以化学机械研磨方式采用研磨液对所述第一层间介质层进行过度研磨，以将所述第一层间介质层减薄至小于所述第一厚度，以获得表面平坦化的具有第三厚度的第一层间介质层，其中，所述研磨液为酸性研磨液，以缩短研磨时间并减少达到平坦化所需要去除的第一层间介质层的厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度；以及