[实用新型]一种晶圆片快速排水清洗槽有效
申请号: | 201721088177.7 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN207250464U | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 周文华 | 申请(专利权)人: | 上海强华实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)11504 | 代理人: | 宋林清 |
地址: | 201507 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片 快速 排水 清洗 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体制造技术领域,特别涉及一种晶圆片快速排水清洗槽。
背景技术
公开号为CN1567538的专利文件,提到了“在半导体制造过程中,晶圆的洁净度对制造的合格率有莫大的影响。有鉴于此,通常必须在每一道半导体工艺进行之前,以及工艺完成之后,另外再进行一道晶圆洗净的步骤,借以清除附着在晶圆上的材料微粒和化学残留物等。目前,在晶圆洗净的程序中,快速排水清洗法是相当常见的一种晶圆清洗方式。所谓快速排水清洗法是先将放在晶圆座(Wafer Stand)上的晶圆完全浸泡于快速排水清洗槽里的去离子水中,再快速地排除快速排水清洗槽中的去离子水,在此同时,对晶圆座上的晶圆喷洒去离子水,以冲洗晶圆。通常,在多槽式(Multi-bath)的湿式机台(Wet Bench)上,晶圆于每一化学液槽程序后,一般会紧接着快速排水清洗槽步骤,借以去除上一程序中,沾附于晶圆上的工艺微粒和化学残留物”。
上述专利申请的技术方案是“一种快速排水清洗槽,至少包含:一槽体,其中该槽体至少包括一排水孔位于该槽体的一底部;以及一导流板固定在该排水孔上方的该槽体上,以使该槽体的一排出喷流场转变成一均匀流场。其中该导流板包括:
一分流板,其中该分流板上至少包括多个分流孔;
多个连接部分别固接在该分流板的两侧,且该些连接部从该分流板的一底部向下突出;
多个滑轨,其中该些滑轨与该些连接部接合而固定在该分流板的该些侧的下方,且该些滑轨与该分流板的该底部之间形成一活动空间;多个伸缩部分别位于该些滑轨的两端,且该些伸缩部可活动于该活动空间中,以调整该导流板的一长度;以及多个调整元件,用以将该些伸缩部固定在该分流板与该些滑轨之间。”然而,该技术方案对于现有的清洗装备显得过于复杂,成本太高了。
实用新型内容
本实用新型提供了一种晶圆片快速排水清洗槽。
一种晶圆片快速排水清洗槽,所述的清洗槽采用花篮式,该清洗槽的底部设有支架,清洗槽的纯水管固定于清洗槽的底部支架一侧,
支架上安放石英托板,
石英托板上用于放置清洗花篮,清洗花篮用于承载晶圆片,
纯水管上设有多个喷淋孔,用于引入清洗纯水,
在清洗槽的底部设有排水孔,排水孔的孔径不小于清洗花篮的长度,
在清洗槽底部还安装有压紧装置,用于压封排水孔。
所述清洗槽的外壁上设有在线检测盒,用于在线检测液体的成分。
清洗槽开口边缘布满多个溢流槽
本实用新型的快速排水清洗槽为晶圆片的纯水清洗提供了一种结构简单功能足够的结构设计方案。
附图说明
通过参考附图阅读下文的详细描述,本实用新型示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中,以示例性而非限制性的方式示出了本实用新型的若干实施方式,其中:
图1本实用新型的结构侧视示意图。
1——花篮式QDR,2——清洗花篮,3——石英托板,4——纯水管,5——在线检测盒,6——压紧装置。QDR是快速排水清洗槽的英文缩写。
具体实施方式
如图1所示,一种晶圆片快速排水清洗槽,所述的清洗槽采用花篮式,该清洗槽的底部设有支架,清洗槽的纯水管固定于清洗槽的底部支架一侧。支架上安放石英托板,石英托板上用于放置清洗花篮,清洗花篮用于承载晶圆片。纯水管上设有多个喷淋孔,用于引入清洗纯水。在清洗槽的底部设有排水孔,排水孔的孔径不小于清洗花篮的长度。在清洗槽底部还安装有压紧装置,用于压封排水孔。所述清洗槽的外壁上设有在线检测盒。清洗槽开口边缘布满多个溢流槽
值得说明的是,虽然前述内容已经参考若干具体实施方式描述了本实用新型创造的精神和原理,但是应该理解,本实用新型并不限于所公开的具体实施方式,对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合,这种划分仅是为了表述的方便。本实用新型旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造