[实用新型]下压平台及邦定组件有效

专利信息
申请号: 201721097199.X 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN207068372U 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 杜双;李建伟;蔡宝鸣;陈立强;李红 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 柴亮,张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 下压 平台 组件
【权利要求书】:

1.一种下压平台,用于将芯片按压至待邦定器件上进行邦定工艺,其特征在于,

所述下压平台具有用于容纳所述芯片的开口部,所述开口部在其设置面上的形状与所述芯片相适配,且所述开口部的深度不大于所述芯片的厚度。

2.根据权利要求1所述的下压平台,其特征在于,

所述开口部的深度与所述芯片的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的下压平台,其特征在于,

所述下压平台用于与所述芯片接触的部分的热传导系数与所述芯片的热传导系数相同。

4.一种邦定组件,其特征在于,包括权利要求1至3中任意一项所述的下压平台。

5.根据权利要求4所述的邦定组件,其特征在于,还包括:

容纳于所述开口部中的芯片。

6.根据权利要求5所述的邦定组件,其特征在于,

所述芯片上设有用于与待邦定器件中的电路电连接的导电凸块;

所述导电凸块设置面上还设有支撑凸块;

所述支撑凸块与所述导电凸块相互隔开,和/或,所述支撑凸块由绝缘材料构成;

所述支撑凸块的高度不大于所述导电凸块的高度。

7.根据权利要求6所述的邦定组件,其特征在于,

所述支撑凸块的高度与所述导电凸块的高度相同。

8.根据权利要求6所述的邦定组件,其特征在于,

所述芯片的导电凸块设置面分为第一导电区、第二导电区和空白区,所述空白区位于所述第一导电区和第二导电区之间,所述导电凸块设于所述第一导电区和第二导电区之中,所述支撑凸块设于所述空白区中。

9.根据权利要求6所述的邦定组件,其特征在于,

所述芯片上设有多个所述支撑凸块,各所述支撑凸块在平行于其设置面的任意方向上的尺寸为5-10微米。

10.根据权利要求4所述的邦定组件,其特征在于,还包括:

邦定平台,用于承载待邦定器件。

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