[实用新型]在线监测氮化硅膜厚折射率的装置有效
| 申请号： | 201721113048.9 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN207116376U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 杨晴 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 朱丽莎 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 在线 监测 氮化 硅膜厚 折射率 装置 | ||
1.一种在线监测氮化硅膜厚折射率的装置，该装置设置在PECVD镀膜完成后的下片机末端，其特征在于：该装置包括第一输送轨道(1)、第二输送轨道(2)、第三输送轨道(3)、测试装置(4)以及吸盘机，所述第一输送轨道(1)的前端设置在下片机的末端，第一输送轨道(1)、第二输送轨道(2)和第三输送轨道(3)的输送方向均不相同，测试装置(4)对称设置在第一输送轨道(1)两侧的上方，测试装置(4)的测试数据信号发射，能够汇聚在第一输送轨道(1)的上方，所述吸盘机位于第一输送轨道(1)、第二输送轨道(2)和第三输送轨道(3)的上方，吸盘机和测试装置(4)通过控制系统信号连接。
2.如权利要求1所述的在线监测氮化硅膜厚折射率的装置，其特征在于：所述第二输送轨道(2)和第三输送轨道(3)的输送方向均和第一输送轨道(1)垂直，第二输送轨道(2)和第三输送轨道(3)的输送方向相反，且均朝向第一输送轨道(1)的外侧，测试装置(4)位于第二输送轨道(2)和第三输送轨道(3)的后方，吸盘机设置在第一输送轨道(1)上方的第二输送轨道(2)和测试装置(4)之间的位置上。
3.如权利要求1所述的在线监测氮化硅膜厚折射率的装置，其特征在于：所述测试装置(4)采用椭偏仪。
4.如权利要求1所述的在线监测氮化硅膜厚折射率的装置，其特征在于：所述吸盘机包括吸盘(5)和自动分选模块，自动分选模块和测试装置(4)通过控制系统信号连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
