[实用新型]背接触晶硅电池电极网版结构

权利要求书

1.一种背接触晶硅电池电极网版结构，设置在晶硅电池的背表面，所述晶硅电池的背表面上设置有P型掺杂区和N型掺杂区，其特征在于，所述背接触晶硅电池电极网版结构包括正极细栅线、负极细栅线、正极主栅线以及负极主栅线，其中：

所述正极细栅线与所述负极细栅线呈叉指状依次横向交叉排布在所述晶硅电池的背表面，分别用于收集所述P型掺杂区和N型掺杂区的电流；

所述正极主栅线与所述负极主栅线相互平行地纵向排布在所述晶硅电池的背表面；

所述正极主栅线仅与所述正极细栅线电性连通，所述负极主栅线仅与所述负极细栅线电性连通。

2.如权利要求1所述的背接触晶硅电池电极网版结构，其特征在于，所述正极主栅线与所述负极细栅线的交叉处、所述负极主栅线与所述正极细栅线的交叉处均设置有绝缘材料层，隔绝所述正极主栅线与所述负极细栅线之间、所述负极主栅线与所述正极细栅线之间的电性连接。

3.如权利要求1或2所述的背接触晶硅电池电极网版结构，其特征在于，所述正极主栅线的数量为两根，分别分布在所述晶硅电池的最右端与最左端；所述负极主栅线均匀分布在最右端的正极主栅线与最左端的正极主栅线之间。

4.如权利要求3所述的背接触晶硅电池电极网版结构，其特征在于，所述负极主栅线的数量为两根或多根。

5.如权利要求1或2所述的背接触晶硅电池电极网版结构，其特征在于，所述负极主栅线的数量为两根，分别分布在所述晶硅电池的最右端与最左端；所述正极主栅线均匀分布在最右端的负极主栅线与最左端的负极主栅线之间。

6.如权利要求5所述的背接触晶硅电池电极网版结构，其特征在于，所述正极主栅线的数量为两根或多根。