[实用新型]背接触晶硅电池电极网版结构有效
申请号: | 201721165582.4 | 申请日: | 2017-09-12 |
公开(公告)号: | CN207183286U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 任军刚;宋志成;程基宽;马继奎;屈小勇;张婷 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 电池 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型晶硅太阳电池技术领域,尤其涉及一种背接触晶硅电池电极网版结构。
背景技术
光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一,太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点,已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此,深入研究和利用太阳能资源,对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。
为了增加市场竞争力,降本提效势在必行,提高产品效率嫣然成了各个光伏企业的必经之路。
然而,目前的高效电池本身存在制作工艺复杂,对环境洁净度要求苛刻,良品率与合格率低的问题,因此高效电池的本着低的生产成本和简化生产的方向快速发展。
实用新型内容
本实用新型提出了一种背接触晶硅电池电极网版结构,以避免了因生产过程未对网版图形识别与区分造成正负主栅线连接失准的问题以及后续测试错误问题。
本实用新型提供如下技术方案:
一种背接触晶硅电池电极网版结构,设置在晶硅电池的背表面,所述晶硅电池的背表面上设置有P型掺杂区和N型掺杂区,所述背接触晶硅电池电极网版结构包括正极细栅线、负极细栅线、正极主栅线以及负极主栅线,其中:
所述正极细栅线与所述负极细栅线呈叉指状依次横向交叉排布在所述晶硅电池的背表面,分别用于收集所述P型掺杂区和N型掺杂区的电流;
所述正极主栅线与所述负极主栅线相互平行地纵向排布在所述晶硅电池的背表面;
所述正极主栅线仅与所述正极细栅线电性连通,所述负极主栅线仅与所述负极细栅线电性连通。
在本实用新型的一个实施例中,所述正极主栅线与所述负极细栅线的交叉处、所述负极主栅线与所述正极细栅线的交叉处均设置有绝缘材料层,隔绝所述正极主栅线与所述负极细栅线之间、所述负极主栅线与所述正极细栅线之间的电性连接。
在本实用新型的一个实施例中,所述正极主栅线的数量为两根或多根,分别分布在所述晶硅电池的最右端与最左端;所述负极主栅线均匀分布在最右端的正极主栅线与最左端的正极主栅线之间。
在本实用新型的一个实施例中,所述负极主栅线的数量为两根或多根。
在本实用新型的一个实施例中,所述负极主栅线的数量为两根或多根,分别分布在所述晶硅电池的最右端与最左端;所述正极主栅线均匀分布在最右端的负极主栅线与最左端的负极主栅线之间。
在本实用新型的一个实施例中,所述正极主栅线的数量为两根或多根。
本实用新型由于采用以上技术方案,使之与现有技术相比,存在以下的优点和积极效果:
1)本实用新型提供的背接触晶硅电池电极网版结构,通过控制正极主栅线仅与所述正极细栅线电性连通、所述负极主栅线仅与所述负极细栅线电性连通,从而避免了因未识别印刷方向或测试方向造成的报废或复测问题,极大程度简化了生产过程的印刷和测试识别方向的问题,极大程度的提高了生产效率。
2)通过正极主栅线与所述负极细栅线的交叉处、所述负极主栅线与所述正极细栅线的交叉处均设置有绝缘材料层,隔绝所述正极主栅线与所述负极细栅线之间、所述负极主栅线与所述正极细栅线之间的电性连接,简单可靠。
附图说明
图1为本实用新型实施例的背接触晶硅电池电极网版结构的示意图。
图中:100-晶硅电池、110-正极细栅线、120-负极细栅线、210-正极主栅线、220-负极主栅线。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的背接触晶硅电池电极网版结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
请参阅图1,本实施例公开了一种背接触晶硅电池电极网版结构,设置在晶硅电池100的背表面,所述晶硅电池100的背表面上设置有P型掺杂区和N型掺杂区,所述背接触晶硅电池电极网版结构包括正极细栅线110、负极细栅线120、正极主栅线210以及负极主栅线220,其中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的