[实用新型]内存发光控制电路

权利要求书

1.一种内存发光控制电路，其特征在于，所述内存发光控制电路包括：

多个内存条，每一内存条设置有发光单元；

程序写入模块，所述程序写入模块用于写入控制多个内存条上发光单元发光的发光控制程序；

MCU芯片，所述MCU芯片与程序写入模块电连接，用于接收并暂存写入的发光控制程序，且MUC芯片分别与多个内存条电连接，在确定所有内存条的发光单元进行同步发光的时间基点后，根据选定的发光模式生成PWM控制信号；其中，所述发光控制程序与发光模式相对应；

发光控制模块，所述发光控制模块与MCU芯片电连接，根据PWM控制信号生成控制指令，控制所有内存条的发光单元按照写入的发光控制程序进行发光。

2.如权利要求1所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述内存发光控制电路还包括：

晶振模块，所述晶振模块与MCU芯片电连接，用于为MUC芯片提供单个内存条与MCU芯片交互的通信周期。

3.如权利要求2所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述晶振模块包括晶振单元、第七电容及第八电容，所述第七电容及第八电容的端分别与MCU的两个引脚电连接，另一端接地；所述晶振单元的分别两端接第七电容与MCU的引脚连接的公共接点，及第八电容与MCU的引脚连接的公共接点。

4.如权利要求1所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述内存发光控制电路还包括：

存储模块，所述存储模块与MCU芯片电连接，用于存储预设及写入的发光控制模式；

开关模块，所述开关模块与MCU芯片电连接，用于根据开关触发信号切换MCU芯片的发光模式，以选出目标发光模式。

5.如权利要求1所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述内存发光控制电路还包括：

地址检测模块，所述地址检测模块分别与内存条及MCU芯片电连接，以供MCU芯片识别对应的内存条，所述地址检测模块包括至少两个地址检测单元。

6.如权利要求5所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述地址检测单元包括第二三极管、第十二电阻、第八电阻及第十五电阻，所述第二三极管的基极串接第十五电阻后接地，发射极接内存条，集电极接MCU，且第十二电阻接于第二三极管的发射极与集电极之间，第八电阻的一端接预置电压。

7.如权利要求6所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述发光控制模块包括第一三极管、第七电阻，所述第一三极管的基极接MCU，集电极接内存条的发光单元，发射极接预置电压，所述第七电阻接于第一三极管的基极与发射极之间。

8.如权利要求7所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述发光单元包括LED三色发光模组、第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关、第十八电阻、第二十电阻及第二十一电阻，所述第一控制开关通过第十八电阻接LED三色发光模组的第一引脚，第二控制开关通过第二十电阻接LED三色发光模组的第二引脚，第三控制开关通过第二十一电阻接LED三色发光模组的第三引脚。

9.如权利要求8所述的内存发光控制电路，其特征在于，所述第一控制开关、第二控制开关及第三控制开关均为N沟道MOS管。