[实用新型]内存发光控制电路有效
申请号: | 201721172122.4 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN207184886U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 田景均 | 申请(专利权)人: | 深圳市嘉合劲威电子科技有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 葛勤 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 发光 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及发光控制技术领域,尤其涉及一种内存发光控制电路。
背景技术
目前,传统技术的内存条仅作为一种存储器件,不能发光,不能满足人们日益增长的需求。为此,现有的内存条上加入了发光元件,以实现内存条的发光,提高用户的体验。然而,现有的内存条为随机性发光,发光杂乱无章,模式单一,无法满足消费者的审美需求,甚至被一部分用户称之为“光污染”。发光内存条,发光如果毫无美感,那么发光就失去了意义其根本原因是,同一主板上的内存条之间无法取得联系,互不统属。如,内存条上的发光单元直接与内存条的供电电路连接,在内存条工作时,其工作电压同时可以点亮发光单元,在内存条停止工作时,发光单元熄灭。通过简单的开关实现发光单元的点亮及熄灭操作无法实现用户的个性化设置。
有鉴于此,有必要提出对目前的内存发光控制电路进行进一步的改进。
实用新型内容
为解决上述至少一技术问题,本实用新型的主要目的是提供一种内存发光控制电路。
为实现上述目的,本实用新型采用的一个技术方案为:提供一种内存发光控制电路,包括:
多个内存条,每一内存条设置有发光单元;
程序写入模块,所述程序写入模块用于写入控制多个内存条上发光单元发光的发光控制程序;
MCU芯片,所述MCU芯片与程序写入模块电连接,用于接收并暂存写入的发光控制程序,且MUC芯片分别与多个内存条电连接,在确定所有内存条的发光单元进行同步发光的时间基点后,根据选定的发光模式生成PWM控制信号;其中,所述发光控制程序与发光模式相对应;
发光控制模块,所述发光控制模块与MCU芯片电连接,根据PWM控制信号生成控制指令,控制所有内存条的发光单元按照写入的发光控制程序进行发光。
其中,所述内存发光控制电路还包括:
晶振模块,所述晶振模块与MCU芯片电连接,用于为MUC芯片提供单个内存条与MCU芯片交互的通信周期。
其中,所述晶振模块包括晶振单元、第七电容及第八电容,所述第七电容及第八电容的端分别与MCU的两个引脚电连接,另一端接地;所述晶振单元的分别两端接第七电容与MCU的引脚连接的公共接点,及第八电容与MCU的引脚连接的公共接点。
其中,所述内存发光控制电路还包括:
存储模块,所述存储模块与MCU芯片电连接,用于存储预设及写入的发光控制模式;
开关模块,所述开关模块与MCU芯片电连接,用于根据开关触发信号切换MCU芯片的发光模式,以选出目标发光模式。
其中,所述内存发光控制电路还包括:
地址检测模块,所述地址检测模块分别与内存条及MCU芯片电连接,以供MCU芯片识别对应的内存条,所述地址检测模块包括至少两个地址检测单元。
其中,所述地址检测单元包括第二三极管、第十二电阻、第八电阻及第十五电阻,所述第二三极管的基极串接第十五电阻后接地,发射极接内存条,集电极接MCU,且第十二电阻接于第二三极管的发射极与集电极之间,第八电阻的一端接预置电压。
其中,所述发光控制模块包括第一三极管、第七电阻,所述第一三极管的基极接MCU,集电极接内存条的发光单元,发射极接预置电压,所述第七电阻接于第一三极管的基极与发射极之间。
其中,所述发光单元包括LED三色发光模组、第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关、第十八电阻、第二十电阻及第二十一电阻,所述第一控制开关通过第十八电阻接LED三色发光模组的第一引脚,第二控制开关通过第二十电阻接LED三色发光模组的第二引脚,第三控制开关通过第二十一电阻接LED三色发光模组的第三引脚。
其中,所述第一控制开关、第二控制开关及第三控制开关均为N沟道MOS管。
本实用新型的技术方案主要包括多个带有发光单元的内存条、程序写入模块、MCU芯片及发光控制模块,该程序写入模块可以由用户根据自己的喜好写入设定发光控制程序,该发光控制程序可以控制发光单元的发光模式;MCU芯片与所有内存条通信连接,可以确定内存条同步发光的时间基点,并且在确定时间基点后根据选定的发光模式控制所有内存条发光,如此,能够实现内存条发光的个性化设计,能够实现内存条不同的视觉效果,以提高用户的体验。
附图说明
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