[实用新型]一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置有效
申请号: | 201721203677.0 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN207353277U | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 徐永洋;段少雷 | 申请(专利权)人: | 浙江绿烨科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权;薛纪表 |
地址: | 311201 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pid 硅片 表面 镀膜 臭氧 喷射 装置 | ||
1.一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,包括安装架、臭氧发生器、输气管、稳流筒、等压储气罐、连接头、连接管、喷头、储气罐、控制器,其特征在于:所述安装架上部设置稳流筒,下部设置等压储气罐,稳流筒的下部和等压储气罐的上部分别设置一一对应的连接头,且相对应的两个连接头通过连接管连接:所述等压储气罐下部安装喷头;所述臭氧发生器通过输气管连接稳流筒,且在输气管上设置储气罐。
2.根据权利要求1所述的一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,其特征在于:所述喷头中部设置贯穿喷头顶面与底面的喷头出气缝。
3.根据权利要求1所述的一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,其特征在于:在储气罐与稳流筒之间的输气管上安装电磁阀,且该装置设施有控制电磁阀与臭氧发生器的控制器。
4.根据权利要求1所述的一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,其特征在于:所述等压储气罐上设置气压测量监测器,气压测量监测器连接控制器。
5.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,其特征在于:所述喷头与等压储气罐之间为可拆卸连接。
6.根据权利要求5所述的一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,其特征在于:等压储气罐下部设置安装卡头,安装卡头的中部设置用于卡装喷头的安装卡槽;该安装卡头的下部两侧设置滑槽,对应地在喷头的两侧设置滑条。
7.根据权利要求6所述的一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,其特征在于:所述安装卡头位于安装卡槽右侧的部分为独立设置的活动压块,且在该侧有固定件设置在安装卡头上,活动压块位于固定件和喷头之间,且在固定件上设置用于调整活动压块的螺栓。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的