[实用新型]一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置有效

专利信息
申请号: 201721203677.0 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN207353277U 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 徐永洋;段少雷 申请(专利权)人: 浙江绿烨科技股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 代理人: 沈相权;薛纪表
地址: 311201 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 pid 硅片 表面 镀膜 臭氧 喷射 装置
【说明书】:

本实用新型涉及一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,包括安装架、臭氧发生器、输气管、稳流筒、等压储气罐、连接头、连接管、喷头、储气罐、控制器,其特征在于:所述安装架上部设置稳流筒,下部设置等压储气罐,稳流筒的下部和等压储气罐的上部分别设置一一对应的连接头,且相对应的两个连接头通过连接管连接:所述等压储气罐下部安装喷头;所述臭氧发生器通过输气管连接稳流筒,且在输气管上设置储气罐。该装置使用臭氧对烘干后的硅片进行喷射,经臭氧喷射,硅片上形成一层SiO薄膜,从而提高硅片的抗PID性能。与现有使用笑气进行喷射相比,该装置的改造技术简单,改造成本低,且能提升硅片的使用性能。

技术领域

本实用新型涉及一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,属于磁铁加工装置领域领域。

背景技术

目前可以明确的是PID现象和电池片表面的反射层有关,提高反射层的折射率可以有效地降低PID现象的发生。含Si多的减反层比含N多的减反层更可以抵抗PID现象。当减反层的折射率大于2.2后,PID现象不再被观察到。而当折射率小于2.08后,组件很难通过PID测试。目前有不少的光伏电池厂在做针对电池和PID的关系的测试中也发现了类似的现象,所以改变折射率成为抗PID的手段之一。但改变电池减反层的折射率会改变电池生产成本和电池的发电效率,在不提高成本并且基本不改变效率的情况下做到抗PID对电池厂是一个非常大的难度。目前抗PID工艺主要是臭氧和笑气。笑气是在PECVD增加一个笑气管道,这个工艺对我们目前来说设计管道增加及改造,由于PECVD是进口设备,这个改造费用太高,且加笑气后影响电池片整体转换率,试验对比比正常片要低0.1%左右。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,从而以简单的手段来实现对硅片的抗PID性能进行提升,提高所得产品的使用性能。

一种可抗PID的硅片表面镀膜臭氧喷射装置,包括安装架、臭氧发生器、输气管、稳流筒、等压储气罐、连接头、连接管、喷头、储气罐、控制器,其特征在于:所述安装架上部设置稳流筒,下部设置等压储气罐,稳流筒的下部和等压储气罐的上部分别设置一一对应的连接头,且相对应的两个连接头通过连接管连接:所述等压储气罐下部安装喷头;所述臭氧发生器通过输气管连接稳流筒,且在输气管上设置储气罐。

进一步,所述喷头中部设置贯穿喷头顶面与底面的喷头出气缝。

该装置使用臭氧对烘干后的硅片进行喷射,臭氧发生器经稳流筒进行稳流,然后通过连接管进入等压储气罐,此时臭氧基本成为均匀的气流,等压储气罐内的臭氧从喷头内喷出,尤其是当喷头的出气孔为一条细缝时,最终臭氧被均匀地喷射在硅片上。经臭氧喷射,硅片上形成一层SiO2薄膜,从而提高硅片的抗PID性能。与现有使用笑气进行喷射相比,该装置的改造技术简单,改造成本低,且能提升硅片的使用性能。

进一步,在储气罐与稳流筒之间的输气管上安装电磁阀,且该装置设施有控制电磁阀与臭氧发生器的控制器。电磁阀能够准确且及时地实现对臭氧喷射状态的控制。

进一步,所述等压储气罐上设置气压测量监测器,气压测量监测器连接控制器。

进一步,所述喷头与等压储气罐之间为可拆卸连接。可拆卸式喷头能够方便人们对喷头的维修与更换。

进一步,等压储气罐下部设置安装卡头,安装卡头的中部设置用于卡装喷头的安装卡槽;该安装卡头的下部两侧设置滑槽,对应地在喷头的两侧设置滑条。安装卡头用于安装喷头,所设滑槽与滑条便于喷头的安装于密封。作为优选方案,将安装卡头位于安装卡槽右侧的部分为独立设置的活动压块,且在该侧有固定件设置在安装卡头上,活动压块位于固定件和喷头之间,且在固定件上设置用于调整活动压块的螺栓。此结构可以降低喷头的拆装难度,提高维修效率。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图;

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