[实用新型]一种脚位为CBE的薄型三极管结构有效

专利信息
申请号: 201721228190.8 申请日: 2017-09-23
公开(公告)号: CN207474469U 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 施锦源 申请(专利权)人: 深圳市信展通电子有限公司
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495
代理公司: 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 代理人: 高早红;谢亮
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装体 三极管结构 底板主体 金属底板 薄型 脚位 底板 本实用新型 发射极引脚 集电极引脚 产品品质 电子设备 基极引脚 金属引线 散热能力 直接焊接 薄型化 焊接部 三极管 中芯片 减小 塑封 打字 封装 焊接
【权利要求书】:

1.一种脚位为CBE的薄型三极管结构,其特征在于,包括:框架、芯片、金属引线以及封装体,所述框架包括金属底板及设置于该金属底板下方的发射极引脚、基极引脚与集电极引脚,所述集电极引脚直接与所述金属底板连接,所述金属底板包括底板主体以及设于所述底板主体中部的焊接部,所述底板主体与焊接部处于不同的水平高度,所述金属引线将所述芯片分别与发射极引脚、基极引脚电性连接,所述封装体形成于所述发射极引脚、基极引脚及集电极引脚的一端,所述封装体包裹所述芯片及金属底板,所述封装体具有正面与反面,所述芯片位于所述封装体的反面这一侧,所述三极管的脚位排列方式为CBE。

2.根据权利要求1所述的薄型三极管结构,其特征在于,所述焊接部由所述底板主体中部凹陷形成。

3.根据权利要求2所述的薄型三极管结构,其特征在于,所述底板主体中部凹陷的面积大于所述芯片底面的面积。

4.根据权利要求1所述的薄型三极管结构,其特征在于,所述底板主体中部镂空形成一通孔,所述焊接部呈“凵”型,所述焊接部的端部与所述通孔的边缘连接。

5.根据权利要求4所述的薄型三极管结构,其特征在于,所述通孔的面积大于所述芯片底面的面积。

6.根据权利要求1所述的薄型三极管结构,其特征在于,所述芯片的正面设有基极与发射极,背面设有集电极,所述基极与所述基极引脚电性连接,所述发射极与所述发射极引脚电性连接,所述集电极与所述金属底板电性连接。

7.根据权利要求6所述的薄型三极管结构,其特征在于,所述芯片通过银胶固定于所述焊接部上。

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