[实用新型]一种脚位为CBE的薄型三极管结构

说明书

本实用新型公开一种脚位为CBE的薄型三极管结构，包括：框架、芯片、金属引线以及封装体，框架包括金属底板及设置于该金属底板下方的发射极引脚、基极引脚与集电极引脚，通过将用于焊接芯片的焊接部设置低于底板主体，从而使得芯片呈陷进底板主体状，而不是像现有技术中芯片直接焊接在底板上，有利于减小封装后三极管的整体厚度，可以很好地满足现今电子设备薄型化的需求；并且，通过将芯片设于封装体的反面这一侧，这样可以增大芯片的塑封面积，提升了产品散热能力；同时，在封装体的正面打字时，不会对芯片造成损坏，提高产品品质。

技术领域

本实用新型涉及一种电子元件技术领域，尤其涉及一种脚位为CBE的薄型三极管结构。

背景技术

三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛应用于广播、通信、电视、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用；随着半导体芯片技术的发展，三极管的封装技术也同样快速发展。

三极管的工艺流程为：划片(DS)-贴片(DB)-焊线(WB)-塑封(MD)-电镀-切筋成型(TF)-测试(TS)-打印(MK)-包装(PK)-成品入库。三极管的行业标准是芯片正面是发射极E与基极B，背面是集电极C，进而所对应的框架排列分别有EBC和ECB两种脚位排列，通过半导体封装工艺流程后可以正常封装成EBC和ECB脚位排列的成品。请参阅图1至图3，该三极管包括：框架102、芯片104、金属引线106以及封装体108，所述框架200包括金属底板208及设置于该金属底板208下方的第一至第三外接引脚202、204、206(即第一外接引脚202为发射极引脚、第二外接引脚204为基极引脚、第三外接引脚206为集电极引脚)，所述第三外接引脚206与金属底板208连接在一起，所述芯片104固焊于金属底板208上，且所述芯片104位于封装体108的正面402一侧，所述金属引线106用于将芯片104与第一、第二外接引脚202、204电性连接。但，如果要根据客户的特殊制定来进行非行业标准的变动，如需要CBE脚位排列的产品时，则需要对芯片的位置进行重新调整，并重新制定新的工艺标准，给生产控制带来不便。根据新制定的工艺标准生产出来的三极管体积较大，难于满足现今电子元器件轻薄化的发展需求。而且，要在封装体108的正面上打字(激光标记)，以印制产品信息时，可能会对芯片104造成一定的损坏(打字深度控制不当)，影响产品品质。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种脚位为CBE的薄型三极管结构。

本实用新型的技术方案如下：本实用新型提供一种脚位为CBE的薄型三极管结构，包括：框架、芯片、金属引线以及封装体，所述框架包括金属底板及设置于该金属底板下方的发射极引脚、基极引脚与集电极引脚，所述集电极引脚直接与所述金属底板连接，所述金属底板包括底板主体以及设于所述底板主体中部的焊接部，所述底板主体与焊接部处于不同的水平高度，所述金属引线将所述芯片分别与发射极引脚、基极引脚电性连接，所述封装体形成于所述发射极引脚、基极引脚及集电极引脚的一端，所述封装体包裹所述芯片及金属底板，所述封装体具有正面与反面，所述芯片位于所述封装体的反面这一侧，所述三极管的脚位排列方式为CBE。

所述焊接部由所述底板主体中部凹陷形成。

所述底板主体中部凹陷的面积大于所述芯片底面的面积。

所述底板主体中部镂空形成一通孔，所述焊接部呈“凵”型，所述焊接部的端部与所述通孔的边缘连接。

所述通孔的面积大于所述芯片底面的面积。

所述芯片的正面设有基极与发射极，背面设有集电极，所述基极与所述基极引脚电性连接，所述发射极与所述发射极引脚电性连接，所述集电极与所述金属底板电性连接。

所述芯片通过银胶固定于所述焊接部上。