[实用新型]存储器、半导体器件

说明书

本实用新型提供了一种存储器、半导体器件。在第一隔离屏障和第二隔离屏障界定出接触窗的基础上，由于第二隔离屏障的顶表面低于第一隔离屏障的顶表面，从而可利用第二隔离屏障上方的空间，实现节点接触的顶部能够沿着第一隔离屏障的延伸方向延伸覆盖第二隔离屏障，进而使多个节点接触在其与电容器的连接面上表面为交错排布，如此一来，即可使后续所形成的电容器也为交错排布，不仅可提高电容器的电容，并且还可进一步增加电容器排布的密集程度。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器和一种半导体器件。

背景技术

存储器通常包括电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线导体，所述源区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述漏区用于构成节点接触区，以连接至电容器。

在存储器的制备工艺中，通常是先形成存储晶体管以制备出节点接触区，从而可在所述节点接触区上制备一节点接触，所述节点接触用于与后续所形成的电容器连接，以实现节点接触区与电容器的电性连接。其中，所述电容器的排布方式通常需与所述节点接触的分布方式相对应，例如，当多个节点接触在其与电容器的连接面上以规则的方形阵列排布，则后续所形成的电容器也相应的呈规则的方向阵列排布。随着半导体器件尺寸的不断缩减，规则的方形阵列的排布方式已无法达到足够的电容器的排布密集度，从而不利于存储器尺寸的缩减，并且由于电容器尺寸的缩减，也相应的会对电容器的电容造成影响。

因此，如何提高电容器排布的密集程度，以及增加电容器的电容尤为重要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，所述存储器中的多个节点接触在其与电容器的连接面上呈现相互交错的排布方式，从而能够提高后续所形成的电容器的电极表面积，以及有利于提高电容器排布的密集程度。

具体的，本实用新型提供一种存储器器，包括：

一衬底，在所述衬底上形成有多个有源区，每一所述有源区的一端部各包含一个节点接触区；

多条位线，形成在所述衬底上并沿着第一方向延伸，用于构成一第一隔离屏障，且相邻的两条所述第一隔离屏障之间的间隔界定出一沿着所述位线延伸的凹槽；

多条第二隔离屏障，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障相交，且所述第二隔离屏障的顶表面低于所述第一隔离屏障的顶表面，以在所述凹槽中界定出多个接触窗，每一所述节点接触区对应地显露在一个所述接触窗中；以及，

多个节点接触，填充在所述凹槽中的多个所述接触窗中并延伸覆盖至所述第二隔离屏障的上方，位于同一所述凹槽中的相邻的所述节点接触之间通过一暴露有所述第二隔离屏障的分隔开口相互分隔，其中，所述分隔开口呈波形结构延伸并局部重迭在所述第二隔离屏障上，并且所述分隔开口的波形结构在相邻的两个所述凹槽中的部位分别对应朝向所述第一方向的波峰和背离所述第一方向的波谷，且所述分隔开口具有非对应于所述第二隔离屏障的形状，以使位于两个相邻的所述凹槽中的所述节点接触的顶表面分别沿着所述第一方向往相反方向扩张延伸至所述第二隔离屏障的上方。

可选的，所述衬底中设置有多条沿着所述第二方向延伸的坎入式字线，所述第二隔离屏障以多段分隔线方式对准在所述字线上，所述字线在所述衬底上的投影和所述位线相交，以界定出的多个棋盘分格，对应所述节点接触区，所述第二隔离屏障的位置对应所述字线的位置并且所述第二隔离屏障的宽度大于等于所述字线的宽度。

可选的，所述位线的侧壁上形成有一隔离侧墙，所述位线和所述隔离侧墙共同构成所述第一隔离屏障。

可选的，所述分隔开口的底部延伸至所述第二隔离屏障中。