[实用新型]包括具有主驱动和旁路晶体管的共源共栅电路的电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，其特征在于，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括漏极电极、具有第一栅极长度的栅极电极和源极电极；以及

第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极电极、具有小于所述第一栅极长度的第二栅极长度的栅极电极和源极电极，其中所述第一晶体管的漏极电极和所述第二晶体管的漏极电极彼此耦接，所述第一晶体管的栅极电极和所述第二晶体管的栅极电极彼此耦接，并且所述第一晶体管的源极电极和所述第二晶体管的源极电极彼此耦接。

2.根据权利要求1所述的电子设备，还包括第三晶体管，其中：

所述第三晶体管的漏极电极耦接到所述第一晶体管的源极电极和所述第二晶体管的源极电极；

所述第三晶体管的源极电极耦接到所述第一晶体管的栅极电极和所述第二晶体管的栅极电极；并且

所述第一晶体管和所述第二晶体管是耗尽型晶体管，并且所述第三晶体管是增强型晶体管。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第一晶体管具有第一有效沟道宽度，所述第二晶体管具有第二有效沟道宽度，并且所述第一有效沟道宽度为所述第二有效沟道宽度的至少11倍。

4.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

沟道层；和

阻挡层，所述阻挡层覆盖在所述沟道层上面并且具有凹部，其中在所述凹部内的第一位置处，所述阻挡层具有第一厚度，并且在所述凹部之外的第二位置处，所述阻挡层具有大于所述第一厚度的第二厚度，

其中：

所述第一晶体管的所述栅极电极在所述第一位置处覆盖在所述沟道层和所述阻挡层上面；并且

所述第二晶体管的第二栅极电极在所述第二位置处覆盖在所述沟道层和所述阻挡层上面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备，其中所述第一晶体管包括第一沟道层，所述第二晶体管包括第二沟道层，并且所述第一沟道层和所述第二沟道层被配置为具有不同的导通状态电子密度。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备，其中所述第一晶体管具有第一栅极电极到漏极电极距离，并且所述第二晶体管具有小于所述第一栅极电极到漏极电极距离的第二栅极电极到漏极电极距离。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备，其中当所述第一晶体管的栅极电极和所述第二晶体管的栅极电极处于相同电压下时，与所述第一晶体管相比，所述第二晶体管具有较高的泄漏电流。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极；以及

第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极，

其中：

所述第一晶体管的漏极电极和所述第二晶体管的漏极电极彼此耦接，所述第一晶体管的栅极电极和所述第二晶体管的栅极电极彼此耦接，并且所述第一晶体管的源极电极和所述第二晶体管的源极电极彼此耦接；并且

所述第一晶体管具有第一有效沟道宽度，所述第二晶体管具有第二有效沟道宽度，并且所述第一有效沟道宽度为所述第二有效沟道宽度的至少11倍。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中与所述第二晶体管相比，所述第一晶体管包括更多个晶体管结构。

10.根据权利要求8或9所述的电子设备，其中与所述第一晶体管相比，所述第二晶体管具有较高的泄漏电流，其中所述第一晶体管的栅极电极和所述第二晶体管的栅极电极处于相同电压下。