[实用新型]包括具有主驱动和旁路晶体管的共源共栅电路的电子设备

说明书

本实用新型涉及一种包括具有主驱动和旁路晶体管的共源共栅电路的电子设备。该电子设备可包括第一晶体管，该第一晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极；以及第二晶体管，该第二晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极，其中第一晶体管和第二晶体管的漏极电极彼此耦接，第一晶体管和所述第二晶体管的栅极电极彼此耦接，并且第一晶体管和第二晶体管的源极电极彼此耦接。第一晶体管和第二晶体管可具有不同的栅极长度。本实用新型要解决的问题是改进晶体管的泄漏电流工作寿命。通过本实用新型实现的技术效果是实现具有当晶体管具有不同的物理性质或电性质时，其中两个晶体管并联连接的电子设备。

技术领域

本实用新型涉及电子设备，并且更具体地，涉及包括具有主驱动和旁路晶体管的共源共栅电路的电子设备。

背景技术

共源共栅电路可包括高侧晶体管和低侧晶体管，其中电路通常由提供给低侧晶体管的栅极的信号控制。高侧晶体管可包括GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，并且低侧晶体管可包括Si金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)。由于电路被设计为在更高的驱动电流下操作，所以泄漏电流将同样增加。在更高的温度下，GaN HEMT的泄漏电流低于SiMISFET。随着时间推移，GaN HEMT的泄漏电流和动态导通状态电阻增加。期望进一步改进以减少泄漏电流并且延长GaN HEMT在共源共栅构型中的工作寿命。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是减少晶体管的泄漏电流并延长其工作寿命。

根据本实用新型的一个方面，提供了电子设备。电子设备包括第一晶体管，该第一晶体管包括漏极电极、具有第一栅极长度的栅极电极、和源极电极；以及第二晶体管，该第二晶体管包括漏极电极、具有小于第一栅极长度的第二栅极长度的栅极电极、和源极电极，其中第一晶体管和第二晶体管的漏极电极彼此耦接，第一晶体管和第二晶体管的栅极电极彼此耦接，并且第一晶体管和第二晶体管的源极电极彼此耦接。

在一个实施方案中，电子设备还包括第三晶体管，其中第三晶体管的漏极电极耦接到第一晶体管和第二晶体管的源极电极，并且第三晶体管的源极电极耦接到第一晶体管和第二晶体管的栅极电极，并且第一晶体管和第二晶体管是耗尽型晶体管，并且第三晶体管是增强型晶体管。

在另一个实施方案中，第一晶体管具有第一有效沟道宽度，第二晶体管具有第二有效沟道宽度，并且第一有效沟道宽度为第二有效沟道宽度的至少11倍。

在又一个实施方案中，电子设备还包括沟道层；以及覆盖在沟道层上面并且具有凹部的阻挡层，其中在凹部内的第一位置处，阻挡层具有第一厚度，并且在凹部之外的第二位置处，阻挡层具有大于第一厚度的第二厚度，其中第一晶体管的栅极电极在第一位置处覆盖在沟道层和阻挡层上面，并且第二晶体管的第二栅极电极在第二位置处覆盖在沟道层和阻挡层上面。

在再一个实施方案中，第一晶体管包括第一沟道层，第二晶体管包括第二沟道层，并且第一沟道层和第二沟道层被配置为具有不同的导通状态电子密度。

在另外的实施方案中，第一晶体管具有第一栅极电极到漏极电极距离，并且第二晶体管具有小于第一栅极电极到漏极电极距离的第二栅极电极到漏极电极距离。

在另一个实施方案中，当第一晶体管和第二晶体管的栅极电极处于相同电压下时，与第一晶体管相比，第二晶体管具有较高的泄漏电流。

在另一个方面，提供了电子设备。电子设备包括第一晶体管，该第一晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极；以及第二晶体管，该第二晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极，其中第一晶体管和第二晶体管的漏极电极彼此耦接，第一晶体管和第二晶体管的栅极电极彼此耦接，并且第一晶体管和第二晶体管的源极电极彼此耦接，并且第一晶体管具有第一有效沟道宽度，第二晶体管具有第二有效沟道宽度，并且第一有效沟道宽度为第二有效沟道宽度的至少11倍。

在一个实施方案中，与第二晶体管相比，第一晶体管包括更多个晶体管结构。