[实用新型]一种可减少电荷馈通的MOS开关有效
| 申请号： | 201721283385.2 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN207218657U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 邹睿;李洪芹 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)31258 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 电荷 mos 开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于，包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。
2.根据权利要求1所述的可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于：所述主开关管M1为NMOS管。
3.根据权利要求1所述的可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于：所述MOS电容为源极、漏极与衬底相连接的NMOS管。
4.根据权利要求1所述的可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于：所述两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b是指MOS电容M1a的沟道长度与MOS电容M1b的沟道长度相等同，MOS电容M1a的宽度与MOS电容M1b的宽度相等同。
5.根据权利要求1所述的可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于：所述第一时钟信号与第二时钟信号为相反信号。
6.根据权利要求5所述的可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于：所述第二时钟信号是由第一时钟信号串接反相器得到。
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