[实用新型]一种可减少电荷馈通的MOS开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种MOS开关，具体说，是涉及一种可减少电荷馈通的MOS开关，属于微电子技术领域。

背景技术

开关电容(SC)电路是由受时钟信号控制的开关和电容器组成的电路，它是利用电荷的存储和转移来实现对信号的各种处理功能。高精度开关电容电路是数模混合集成电路的重要组成部分，在滤波器、可调增益放大器、模数转换器和数模转换器中有着广泛应用。而高精度开关电容电路对开关的要求很高，开关的电荷馈通效应会影响整个电路精度，因此，本领域啓需研发一种可减少电荷馈通的MOS开关，以满足开关电容电路的高精度要求。

实用新型内容

针对现有技术存在的上述问题和需求，本实用新型的目的是提供一种可减少电荷馈通的MOS开关，以满足开关电容电路的高精度要求。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种可减少电荷馈通的MOS开关，包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。

作为优选方案，所述主开关管M1为NMOS管。

作为优选方案，所述MOS电容为源极、漏极与衬底相连接的NMOS管。

作为优选方案，所述两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b是指MOS电容M1a的沟道长度与MOS电容M1b的沟道长度相等同，MOS电容M1a的宽度与MOS电容M1b的宽度相等同。

作为优选方案，所述第一时钟信号与第二时钟信号为相反信号。

作为进一步优选方案，所述第二时钟信号是由第一时钟信号串接反相器得到。

相较于现有技术，本实用新型的有益技术效果在于：

本实用新型提供的MOS开关由于其中的主开关管M1的馈通电荷可被两侧MOS电容所吸收，且不影响输入信号，因此能明显减少电荷馈通，从而满足开关电容电路的高精度要求，工业应用价值强。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种可减少电荷馈通的MOS开关的结构示意图；

图2为本实用新型提供的第二时钟信号的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本实用新型的技术方案做进一步详细描述。

实施例

如图1所示：本实施例提供的一种可减少电荷馈通的MOS开关，包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。

所述主开关管M1优选为NMOS管，所述MOS电容M1a和M1b均优选为源极、漏极与衬底相连接的NMOS管。

本实施例中，所述两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b是指MOS电容M1a的沟道长度与MOS电容M1b的沟道长度相等同，MOS电容M1a的宽度与MOS电容M1b的宽度相等同。

作为优选方案，所述第一时钟信号clk与第二时钟信号xclk为相反信号，即：当clk＝0，xclk＝1；当clk＝1，xclk＝0。所述第二时钟信号xclk是由第一时钟信号clk串接反相器得到(参阅图2所示)。

因当NMOS管栅极接高电平1时，源极与漏极会导通；当NMOS管栅极接低电平0时，源极与漏极会断开；因此，当MOS电容M1a和M1b均为源极与漏极相连接的NMOS管时，并且M1a与M1b的尺寸(沟道长度和宽度)完全相同时，可作为MOS电容吸收主开关管M1两侧产生的馈通电荷，从而减少电荷馈通效应对信号的影响，提高开关电容电路的精度。

综上所述，本实用新型提供的MOS开关由于其中的主开关管M1的馈通电荷可被两侧的MOS电容M1a和M1b所吸收，且不影响输入信号，能明显减少电荷馈通，因而可满足开关电容电路的高精度要求，具有很强的工业应用价值；因此，本实用新型相对于现有技术，已取得明显进步。

最后有必要在此指出的是：以上所述仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。