[实用新型]一种重新布线层结构有效
申请号: | 201721310241.1 | 申请日: | 2017-10-12 |
公开(公告)号: | CN207852663U | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 重新布线层 聚合物层 导电焊盘 通孔 本实用新型 基板表面 聚合物层表面 凸块下金属层 凹槽形成 电性连接 封装结构 预设位置 侧壁 基板 暴露 覆盖 制作 | ||
本实用新型提供一种重新布线层结构,所述重新布线层结构包括基板、聚合物层、若干通孔、重新布线层及凹槽,其中,基板表面设有若干导电焊盘,聚合物层形成于基板表面,通孔形成于聚合物层中,并暴露出导电焊盘,重新布线层形成于聚合物层表面,并覆盖通孔的侧壁与底部,与所述导电焊盘之间形成电性连接,凹槽形成于所述重新布线层表面预设位置。本实用新型的重新布线层结构中仅在重新布线层下形成有聚合物层,而无需在重新布线层上采用第二层聚合物层,并且也无需在重新布线层上设置凸块下金属层(UBM),不仅结构更为简单,有利于降低封装结构的厚度,还可以降低制作成本。
技术领域
本实用新型属于集成电路封装领域,涉及一种重新布线层结构。
背景技术
半导体工业通过持续减小最小特征尺寸来继续提高各种各样电子元件的整合密度,使得在给定的面积下可以集成更多的电子元件。目前,最先进的封装解决方案包括晶圆级芯片尺寸封装(Wafer level chip-scale package)、扇出型晶圆级封装(Fan-out waferlevel package)倒装芯片(Flip chip)以及堆叠型封装(Package on Package,POP)等等。其中,各封装结构中均可能用到重新布线层(Redistribution Layers,RDL)。重新布线层(Redistribution Layers,RDL)是倒装芯片组件中芯片与封装之间的接口界面。
重新布线层(RDL)的目的是对芯片的铝焊区位置进行重新布局,使新焊区满足对焊料球最小间距的要求,并使新焊区按照阵列排布。常见的重新布线层材料是电镀铜(plated Cu)辅以打底的钛、铜溅射层(Sputtered Ti/Cu)。
现有技术中,重新布线层结构的制作通常需要涂布两层聚合物薄膜。如图1所示,首先在设有芯片焊盘102的圆片101表面涂布第一层聚合物薄膜103,以加强芯片的钝化层,起到应力缓冲的作用;然后基于第一层聚合物薄膜103制作重新布线层104;接着涂布第二层聚合物薄膜105,使圆片表面平坦化并保护重新布线层104,并对第二层聚合物薄膜105进行光刻工艺,开出新焊区的位置;再在新焊区位置制作凸块下金属层106(Under BumpMetalization,简称UBM),其制作工艺与重新布线层的制作工艺大致相同;最后在凸块下金属层106上进行植球并进行回流工艺,焊料球107经回流融化与凸块下金属层形成良好的浸润结合。
上述重新布线层结构的制作过程由于需要制作两层聚合物薄膜,并需要制作凸块下金属层,从而增加了制造成本。
因此,如何提供一种新的重新布线层结构,以简化工艺并降低制造成本,成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种重新布线层结构,用于解决现有技术中重新布线层结构制作工艺复杂,成本较高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种重新布线层结构,包括:
基板,所述基板表面设有若干导电焊盘;
一聚合物层,形成于所述基板表面;
若干通孔,形成于所述聚合物层中,并暴露出所述导电焊盘;
重新布线层,形成于所述聚合物层表面,并覆盖所述通孔的侧壁与底部,与所述导电焊盘之间形成电性连接;
凹槽,形成于所述重新布线层表面预设位置。
可选地,所述重新布线层包括一层金属线路,所述凹槽从所述金属线路顶面开口,但未贯穿所述金属线路的底面。
可选地,所述重新布线层包括至少两层金属线路,相邻两层金属线路之间设有介质层,所述凹槽从顶层金属线路的顶面开口,但未贯穿顶层金属线路的底面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721310241.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。