[实用新型]薄膜干燥监测装置有效
申请号: | 201721318220.4 | 申请日: | 2017-10-12 |
公开(公告)号: | CN207199574U | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 胡佳;陈颖 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L51/50 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 干燥 监测 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示器件加工领域,特别是涉及一种薄膜干燥监测装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLEDs)是一种自发光器件,具有电压低,视角宽、响应速度快、温度适应性好等优势,是新一代的显示技术。有机电致发光器件的原理为在电场作用下,空穴和电子分别从阳极和阴极注入,分别通过空穴注入层、空穴传输层和电子注入层、电子传输层,在发光层复合形成激子,激子辐射衰减发光。
有机电致发光器件的制备通常有两种方法,即全蒸镀法和溶液法(旋涂和印刷),目前本领域普遍认为印刷显示技术是制造大面积、低成本的OLED的最优技术之一。在印刷制作有机电致发光器件时,由于需要防止打印墨水过快变干而堵住印刷设备的打印头,墨水材料中通常都包含一种高沸点的溶剂或多种高沸点的溶剂,这些溶剂的沸点达到甚至超过200℃。为了提高器件效率和寿命,需要在打印后对打印薄膜进行常温真空干燥,以除去这些溶剂,而根据溶剂和干燥条件的不同,所需真空干燥的时间也不相同,无法准确地确定薄膜何时干燥完毕,势必导致长时间的真空干燥,增加了器件制备周期,造成时间浪费,影响生产效率。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种可以准确地确定薄膜何时干燥完毕的薄膜干燥监测装置。
一种薄膜干燥监测装置,包括:
平行光源机构,用于向薄膜的表面发射平行光线;
光强检测机构,用于检测所述平行光线经所述薄膜反射后的镜面反射光线的光通量;以及
分析处理机构,与所述光强检测机构连接,用于在所述光通量的变化趋于平缓时发出干燥完成信号。
经研究发现,当含高沸点溶剂的有机打印墨水制成薄膜后,由于有机溶剂沸点很高,在常温常压条件下很难快速挥发,此时薄膜的表面非常均匀和光滑,当一束平行的光照射到薄膜表面时就会发生镜面反射,沿镜面反射光路反射出来的镜面反射光线的光通量(L1)就很大。在溶剂挥发的过程中,薄膜表面的均匀性和光滑度就会降低,变得相对粗糙,薄膜表面发生的镜面反射就会慢慢转变成漫反射,沿镜面反射光路反射出来的镜面反射光线的光通量(L2、L3、L4……Ln)就会随着干燥时间的增加迅速下降。当薄膜被干燥到一定程度时,镜面反射光线的光通量就会下降的很慢,并趋于稳定。本实用新型的薄膜干燥监测装置通过平行光源机构向薄膜的表面发射平行光线,并通过光强检测机构持续地或间隔预设时间地检测镜面反射光线的光通量,分析处理机构则在光通量的变化趋于平缓时发出干燥完成信号例如向图像收集器发送图像收集信号等,即可结束干燥,实现对薄膜干燥情况的实时监测,从而可准确地确定薄膜何时干燥完毕,减少不必要的干燥时间,缩短了器件制备周期,提高了生产效率。
在其中一个实施例中,所述光通量的变化趋于平缓时是指所述光通量在单位时间内的减小量小于预设值时。
在其中一个实施例中,所述光强检测机构包括光传感器和第一狭缝光栅,所述第一狭缝光栅设于所述光传感器靠近所述薄膜的一侧,以使所述镜面反射光线经过所述第一狭缝光栅到达所述光传感器。
在其中一个实施例中,所述光强检测机构还包括第二狭缝光栅,所述第二狭缝光栅设于所述第一狭缝光栅靠近所述薄膜的一侧,以使所述镜面反射光线依次经过所述第二狭缝光栅和所述第一狭缝光栅到达所述光传感器。
在其中一个实施例中,所述光强检测机构还包括第一收容盒,所述光传感器、所述第一狭缝光栅和所述第二狭缝光栅收容于所述第一收容盒内。
在其中一个实施例中,所述平行光线与所述薄膜的表面的夹角为30°~60°。
在其中一个实施例中,所述平行光源机构包括光源件和准直镜,所述准直镜设于所述光源件靠近所述薄膜的一侧。
在其中一个实施例中,所述平行光源机构还包括第二收容盒,所述光源件和所述准直镜收容于所述第二收容盒内。
在其中一个实施例中,所述光源件为可见光源。
在其中一个实施例中,所述光源件为红色或黄色的可见光源。
附图说明
图1为一实施例的薄膜干燥监测装置的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造