[实用新型]太阳能rena刻蚀机槽体改造结构有效
申请号: | 201721332721.8 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN207353278U | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 徐建;俞超;李慧;吴俊清;樊华;张子森 | 申请(专利权)人: | 东方环晟光伏(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 刘畅;徐冬涛 |
地址: | 214203 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 rena 刻蚀 体改 结构 | ||
本实用新型公开了一种太阳能rena刻蚀机槽体改造结构,包括主槽和储液罐,在主槽底部开有若干个孔;主槽和副槽的横截面相同,主槽设置在副槽之上;所述副槽放置于外槽中,在外槽的底部设置有溢出孔,溢出孔的开孔位置与副槽的放置位置错开;溢出孔通过细管连接储液罐,储液罐的输出端通过细管连接泵,泵的输出端通过细管连接副槽。本实用新型是改变槽体的结构,泵将储液罐抽至副槽,然后副槽满之后药液通过主槽槽底的多孔溢至主槽,主槽底的孔细小,药液进入主槽比较均匀,且泵从储液罐抽取的空气经过多孔逸出时,无法凝聚成大气泡,气泡基本在副槽里就基本破裂,避免了原横流管冒气泡破裂导致硅片的不良。
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能RENA刻蚀机通过槽体改造减少不良品的方法,属于太阳能刻蚀技术领域,具体是一种太阳能rena刻蚀机槽体改造结构。
背景技术
刻蚀槽:去除边缘的结,防止漏电,硅片采取“水上漂”进行背面腐蚀。
目前刻蚀机的刻蚀槽的使用药液(还有氢氟酸,硝酸,硫酸,水四种化学物质),RENA刻蚀机通过泵从储液槽抽液至主槽的横流管,然后由横流管上的细孔(细孔是管子的朝下方,以防喷液至主槽时引起液面波动)均匀喷液至主槽,主槽多余的液会通过主槽边上的外槽流至储液槽,溶液进行均匀循环使用。但是泵在抽取储液槽溶液的时候会带入一部分空气进入横流管,由于空气聚集越来越多,气泡会从横流管的气孔里冒出来至液面处发生破碎,气泡破碎导致药液波动,引起翻液至硅片正面的上,腐蚀正面,加工至成品引起外观降级,给公司带来一定的经济损失。
实用新型内容
本实用新型针对背景技术中存在的问题,提出一种太阳能rena刻蚀机槽体改造结构。
技术方案:
一种太阳能rena刻蚀机槽体改造结构,包括主槽和储液罐,其特征是:在主槽底部开有若干个孔;主槽和副槽的横截面相同,主槽设置在副槽之上;所述副槽放置于外槽中,在外槽的底部设置有溢出孔,溢出孔的开孔位置与副槽的放置位置错开;溢出孔通过细管连接储液罐,储液罐的输出端通过细管连接泵,泵的输出端通过细管连接副槽。
优选的,所述主槽底部全部为孔,孔的直径为3mm,相邻孔圆心间距为4.5mm。
优选的,所述溢出孔的直径为7cm。
优选的,所述泵的功率为2.2KW。
优选的,所述细管的材质为PVDF,直径为6cm。
本实用新型的有益效果
本实用新型是改变槽体的结构,刻蚀主槽内取消横流管,将刻蚀主槽下加一层槽体(副槽),且将主槽底部改为多个孔的结构,泵将储液罐抽至副槽,然后副槽满之后药液通过主槽槽底的多孔溢至主槽,主槽底的孔细小,药液进入主槽比较均匀,且泵从储液罐抽取的空气经过多孔逸出时,无法凝聚成大气泡,气泡基本在副槽里就基本破裂,避免了原横流管冒气泡破裂导致硅片的不良。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步说明,但本实用新型的保护范围不限于此:
实施例1:一种太阳能rena刻蚀机槽体改造结构,包括主槽1和储液罐7,在主槽1底部开有若干个孔2;主槽1和副槽3的横截面相同,主槽1设置在副槽3之上;所述副槽3放置于外槽4中,在外槽4的底部设置有溢出孔5,溢出孔5的开孔位置与副槽3的放置位置错开;溢出孔5通过细管6连接储液罐7,储液罐7的输出端通过细管6连接泵8,泵8的输出端通过细管6连接副槽3。
优选的实施例中:
所述主槽底部全部为孔2,孔2的直径为3mm,相邻孔2圆心间距为4.5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方环晟光伏(江苏)有限公司,未经东方环晟光伏(江苏)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721332721.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种输电线路复合绝缘子下线专用梯
- 下一篇:一种槽式太阳能热电联供系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的