[实用新型]一种SiC肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721348914.2 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN207338388U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 龙立 | 申请（专利权）人： | 广东瑞森半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 肖特基 二极管 | ||
1.一种SiC肖特基二极管，其特征在于：包括N型SiC层、设于N型SiC层的多个沟槽、间隔设于N型SiC层上表面的肖特基金属层、设于肖特基金属层间隙的绝缘层、覆盖于肖特基金属层与绝缘层上表面的阳极金属层、N型SiC层的下表面连接有阴极金属层，所述多个沟槽内填充有P型SiC。
2.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述N型SiC层的掺杂浓度为1.2×10
3.根据权利要求2所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述N型SiC层的掺杂浓度为1.5×10
4.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述沟槽内P型SiC的掺杂浓度为2.6×10
5.根据权利要求4所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述沟槽内的P型SiC的掺杂浓度为2.8×10
6.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述沟槽的下端面为圆弧形。
7.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基金属层为Ni或Ti，厚度为1-1.5um。
8.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述绝缘层为聚酰亚胺层，聚酰亚胺层的厚度大于或等于肖特基金属层的厚度。
9.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述绝缘层的宽度为0.5-3um。
10.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管，其特征在于：所述阳极金属层与阴极金属层均为Pt或Ti层。
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