[实用新型]一种SiC肖特基二极管

说明书

本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种SiC肖特基二极管，包括N型SiC层、设于N型SiC层的多个沟槽、间隔设于N型SiC层上表面的肖特基金属层、设于肖特基金属层间隙的绝缘层、覆盖于肖特基金属层与绝缘层上表面的阳极金属层、N型SiC层的下表面连接有阴极金属层，所述多个沟槽内填充有P型SiC。肖特基金属层被分割成几部分后，电流以并联的方式流过器件，缓解因大片金属趋附效应而产生的局部电流不均匀造成的恶性电流正反馈现象，在高温情况下产生的漏电流较之传统的肖特基二级管更小，使用寿命长，工作性能更稳定，另外，绝缘层隔断肖特基金属层，加工工艺简单，生产成本低，使得产品的成本低，增加了市场竞争力。

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种SiC肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

近年来随着电力电子技术在电动汽车、风力发电、柔性输电等新能源领域中应用的不断扩展，现代社会对电力电子变换器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在较高温度环境时仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本实用新型的目的在于提供一种能在高温下稳定工作，且有良好反向恢复特性的一种SiC肖特基二极管。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：包括N型SiC层、设于N型SiC层的多个沟槽、间隔设于N型SiC层上表面的肖特基金属层、设于肖特基金属层间隙的绝缘层、覆盖于肖特基金属层与绝缘层上表面的阳极金属层、N型SiC层的下表面连接有阴极金属层，所述多个沟槽内填充有P型SiC。

进一步的，所述N型SiC层的掺杂浓度为1.2×1019/cm3～1.8×1019/cm3，厚度为3-5um。

进一步的，所述N型SiC层的掺杂浓度为1.5×1019/cm3，厚度为3-5um。

进一步的，所述沟槽内P型SiC的掺杂浓度为2.6×1019/cm3～3.0×1019/cm3，沟槽深度小于N型SiC层的厚度。

进一步的，所述沟槽内的P型SiC的掺杂浓度为2.8×1019/cm3。

进一步的，所述沟槽的下端面为圆弧形。

进一步的，所述肖特基金属层为Ni、Ti的一种，厚度为1-1.5um。

进一步的，所述绝缘层为聚酰亚胺层，聚酰亚胺层的厚度大于或等于肖特基金属层的厚度。

聚酰亚胺耐高温达400℃以上，长期使用温度范围-200～300℃，有高绝缘性能，实用新型通过使用聚酰亚胺为绝缘材料，可以很好的隔断肖特基金属层，且能在不同温度下，保持固定的形状和良好的绝缘性能。

进一步的，所述绝缘层的宽度为0.5-3um。

进一步的，所述阳极金属层与阴极金属层均为Pt或Ti层。