[实用新型]适用于高压大功率场合的IGBT串联均压控制电路有效
申请号: | 201721372693.2 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN207518563U | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 颜云岭;陈朋;孔宾 | 申请(专利权)人: | 北京京仪绿能电力系统工程有限公司 |
主分类号: | H03K17/081 | 分类号: | H03K17/081 |
代理公司: | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人: | 谢建玲;郝亮 |
地址: | 102101 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 均压控制 均压控制电路 高压大功率 稳压二极管 三阶段 串联 电力电子技术领域 本实用新型 并联电容 均压电路 限流作用 斜率控制 栅极支路 发射极 集电极 电容 短接 | ||
1.适用于高压大功率场合的IGBT串联均压控制电路,其特征在于包括:电阻R、电阻Rg、电容C、稳压二极管Z和IGBT管:T管、Ts管;所述T管的集电极与电阻R的一端连接,电阻R的另一端与稳压二极管Z的阴极连接,稳压二极管Z的阳极与Ts管的集电极连接,Ts管的发射极与T管的栅极连接;所述稳压二极管Z并联电容C;所述Ts管的栅极和发射极间短接电阻Rg。
2.如权利要求1所述的适用于高压大功率场合的IGBT串联均压控制电路,其特征在于:所述电阻R用于限制电路的电流。
3.如权利要求1所述的适用于高压大功率场合的IGBT串联均压控制电路,其特征在于:所述电阻Rg用于防止Ts管误导通。
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