[实用新型]一种高密度陶瓷靶材生胚的制造装置

说明书

本实用新型公开一种高密度陶瓷靶材生胚的制造装置，包括圆筒状的靶材、设于靶材下方的垫块，还包括有沿垂直方向设置的悬杆，悬杆穿设于靶材内；垫块下方设有滚筒层，悬杆的底端往下贯穿垫块、且端部与滚筒层连接。本实用新型结构简单，可减少或消除靶材形变程度。

技术领域

本实用新型涉及靶材生产领域，尤其涉及一种高密度陶瓷靶材生胚的制造装置。

背景技术

陶瓷靶材被广泛应用于生产太阳能薄膜。陶瓷一般采用烧结工艺制造，陶瓷在烧结的过程中会出现收缩现象，因而很容易出现变形，甚至破裂。专利号为201720017245.4的中国专利提出一种技术方案：在靶材底端与炉壁之间设置垫烧块，垫烧块与靶材底端之间加入滚珠层，垫烧块与炉壁之间加入滚珠层，以使垫烧块与炉壁之间的摩擦力、垫烧块与靶材底端之间的摩擦力变为滑动摩擦力，进而减少靶材因底端附近部位与底端上方的部位的形变差异。这方案能一定程度上减少靶材变形的现象，但其结构复杂，且垫块与炉壁之间的接触面积过大，导致其总体滑动摩擦力变大，因而改善效果不够明显。

实用新型内容

本实用新型为解决现有的技术缺陷，提供了一种高密度陶瓷靶材生胚的制造装置，其结构简单，可进一步减少或消除靶材形变程度。其具体的技术方案如下：

本实用新型公开一种高密度陶瓷靶材生胚的制造装置，包括圆筒状的靶材、设于靶材下方的垫块，还包括有沿垂直方向设置的悬杆，悬杆穿设于靶材内；垫块下方设有滚筒层，悬杆的底端往下贯穿垫块、且端部与滚筒层连接。

进一步地，滚筒层包括至少三条滚筒悬臂，滚筒悬臂绕悬杆等间距设置；滚筒悬臂包括有支架以及若干滚筒，支架一端与悬杆连接，滚筒的两端与支架转动连接。

进一步地，滚筒沿支架等间距设置，两相邻滚筒之间的间距为1cm-1.5cm。

进一步地，垫块与靶材之间设有耐高温砂层。

进一步地，耐高温砂层顶端面面积等于或大于靶材的底端面面积，垫块顶端面面积大于耐高温砂层底端面面积。

进一步地，垫块的材质与靶材的材质相同。

进一步地，靶材的顶端设有用于限定靶材位置的盖板，悬杆上端贯穿盖板。

进一步地，盖板设有限位槽，限位槽与靶材顶端配合。

进一步地，限位槽的宽度至少为靶材侧壁宽度的两倍。

进一步地，盖板的材质与靶材的材质相同。

本实用新型的有益效果：本实用新型的滚筒层处于悬空状态，与炉壁不接触，因而避免了滚筒层的滚筒与炉壁接触而增加摩擦力；滚筒层与垫块接触，垫块与靶材底端之间设有耐高温砂层，结构简单，制造成本底，并可减少或消除靶材变形，提高靶材质量与密度。

附图说明

图1为本实用新型实施例的整体结构示意图；

图2为本实用新型实施例的A部位局部放大图；

图3为本实用新型实施例的底面结构示意图。

图中标注：靶材100，悬杆200，滚筒悬臂201，滚筒202，盖板300，限位槽301，耐高温砂层400，垫块500，滚筒层600。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。请参附图1至附图3。