[实用新型]一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管有效
申请号: | 201721380877.3 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN207624706U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 张鹏 | 申请(专利权)人: | 启东吉莱电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/87 | 分类号: | H01L29/87;H01L29/06 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 卢海洋 |
地址: | 226200 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 瞬态电压抑制二极管 背面 浪涌 金属化电极 氧化层 增强型 结区 电导调制效应 电位 本实用新型 表面刻蚀 电流能力 浪涌电流 浪涌特性 反型层 金属化 整个面 加高 覆盖 延伸 | ||
1.一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管,其特征在于:包括P型材料片,所述P型材料片有正面N+区,所述P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度,所述背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度,所述P型材料片的表面形成有第氧化层并覆盖部分正面N+区反型层,所述正面N+区的表面刻蚀有金属化电极,所述金属化电极的宽度范围延伸至氧化层,背面整个面全部金属化。
2.根据权利要求1所述的一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管,其特征在于:所述P型材料片衬底的电阻率为0.01~0.4Ω·cm。
3.根据权利要求1所述的一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管,其特征在于:所述正面N+区的结深在15-25um,所述背面N+型深结区的结深在20-30um,背面P+区的结深在10-15um。
4.根据权利要求1所述的一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管,其特征在于:所述金属化电极为AL-Ti-Ni-Ag合金。
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