[实用新型]一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管

说明书

一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，包括P型材料片，P型材料片有正面N+区，P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，第氧化层形成于P型材料片的表面并覆盖部分正面N+区反型层，正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。本实用新型采用N+PN+P+四层构成的单向单向瞬态电压抑制二极管的结构，正面N+加高电位后，由于背面存在N+的电导调制效应，与常规单向瞬态电压抑制二极管在浪涌特性上存在优势，单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管。

背景技术

传统的单向瞬态电压抑制二极管器件由于是单个PN结构成，背面有一层P+形成欧姆接触，传统的单向TVS器件在受到外界浪涌冲击时，无法形成浪涌增强的特性，导致承受浪涌的能力有限。

本实用新型所要解决的技术问题是单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，包括P型材料片，P型材料片有正面N+区，P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，第氧化层形成于P型材料片的表面并覆盖部分正面N+区反型层，正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。

进一步地，P型材料片衬底的电阻率为0.01~0.4Ω·cm。

进一步地，正面N+区的结深在15-25um，背面N+型深结区的结深在20-30um，背面P+区的结深在10-15um。

进一步地，金属化电极为AL-Ti-Ni-Ag合金。

本实用新型的优点是：本实用新型采用N+PN+P+四层构成的单向瞬态电压抑制二极管的结构，正面N+加高电位后，由于背面存在N+的电导调制效应，与常规单向瞬态电压抑制二极管在浪涌特性上存在优势，单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

图1是本实用新型的结构示意图。

其中：1，P型材料片、2，正面N+区、3，背面N+型深结区、4、背面P+区。

具体实施方式

如图1所示，一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，包括P型材料片1， P型材料片1衬底的电阻率为0.01~0.4Ω·cm，P型材料片1有正面N+区2，P型材料片1的背面有背面N+型深结区3和背面P+区4的深度，背面N+型深结区3的深度大于背面P+区4的深度，第氧化层形成于P型材料片1的表面并覆盖部分正面N+区2反型层，正面N+区2的结深在15-25um，所述背面N+型深结区3的结深在20-30um，背面P+区4的结深在10-15um，正面N+区2的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化，金属化电极为AL-Ti-Ni-Ag合金。