[实用新型]一种免吸收电容的静态无功补偿器有效
| 申请号： | 201721397661.8 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN207381977U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王潞钢;何超;姜涛;陈果;王海洋;刘帅 | 申请（专利权）人： | 北京精密机电控制设备研究所 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 闫兆梅 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 吸收 电容 静态 无功 补偿 | ||
【权利要求书】：
1.一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：包括六个绝缘栅双极型晶体管IGBT、一个薄膜电容、一组正母线及一组负母线；其中六个绝缘栅双极型晶体管IGBT与正母线和负母线排列成三相全桥形式，一个薄膜电容并入正母线和负母线之间。
2.如权利要求1所述的一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：所述薄膜电容以金属箔当电极。
3.如权利要求1所述的一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：所述薄膜电容由聚苯乙烯塑料薄膜两端重叠后，卷绕成圆筒状构成。
4.如权利要求1所述的一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：可以通过并联多个薄膜电容增加电容容量。
5.如权利要求1所述的一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：所述薄膜电容为直流薄膜电容。
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