[实用新型]一种免吸收电容的静态无功补偿器

说明书

本实用新型属于新型电力电子装置技术领域，具体涉及一种免吸收电容的静态无功补偿器。本实用新型具体包括：六个绝缘栅双极型晶体管IGBT、一个薄膜电容、一组正母线及一组负母线；其中六个绝缘栅双极型晶体管IGBT与正母线和负母线排列成三相全桥形式，一个薄膜电容器并入正母线和负母线之间。本实用新型有利于无功补偿器的体积缩小，性能提高，有利于静态无功补偿器的产业化。本实用新型采用聚乙烯薄膜电容取代电解电容，来稳定电压波动，免去吸收电容，从而减小了无功补偿器体积尺寸；且薄膜电容的替换不限各种静态无功补偿器的拓扑结构。

技术领域

本实用新型属于新型电力电子装置技术领域，具体涉及一种免吸收电容的静态无功补偿器。

背景技术

目前，市场上的静态无功补偿器内部，采用电解电容来稳定直流电压，采用专用吸收电容来吸收绝缘栅双极型晶体管IGBT的脉冲尖峰如图1所示。

该现有技术所存在的问题和缺陷

电解电容，用来稳定直流电压波动，吞吐谐波和自身损耗能量。缺点是：耐压值不高需要串联分压才能工作、内感大从而增加了直流母线的杂散电感，增加了绝缘栅双极型晶体管IGBT关断失效的几率。

专用吸收电容，主要用来：吸收来自杂散电感的续流；吸收绝缘栅双极型晶体管IGBT尖峰脉冲；因为需要接近绝缘栅双极型晶体管IGBT，所以经常占用绝缘栅双极型晶体管IGBT附近体积。

发明内容

本实用新型目的在于提出了一种免吸收电容的静态无功补偿器，解决了稳定电压波动，免去吸收电容，减小了无功补偿器体积尺寸的技术问题。

本实用新型的技术方案是：

一种免吸收电容的静态无功补偿器，其特征在于：包括六个绝缘栅双极型晶体管IGBT、一个薄膜电容、一组正母线及一组负母线；其中六个绝缘栅双极型晶体管IGBT与正母线和负母线排列成三相全桥形式，一个薄膜电容器并入正母线和负母线之间。

如上所述薄膜电容器以金属箔当电极。

如上所述薄膜电容器由聚苯乙烯塑料薄膜两端重叠后，卷绕成圆筒状构成。

如上所述的一种免吸收电容的静态无功补偿器可以通过并联多个薄膜电容器电容增加电容容量。

如上所述薄膜电容为直流薄膜电容。

本实用新型的有益效果是：本实用新型有利于无功补偿器的体积缩小，性能提高，有利于静态无功补偿器的产业化。本实用新型采用聚乙烯薄膜电容取代电解电容，来稳定电压波动，免去吸收电容，从而减小了无功补偿器体积尺寸；且薄膜电容的替换不限各种静态无功补偿器的拓扑结构。

薄膜电容还具有以下优点：电容无液体，防爆且防止漏液；耐压值高，最高可达上万伏特；有自愈性，小的击穿可以自行恢复；寿命长，远远超过电解电容数倍。内感极低，从而省略了吸收电容，因为无吸收电容，无内感，单位电容值允许电流更大，所以可以选用更低的电容值。

附图说明

图1为本发明所述一种免吸收电容的静态无功补偿器电路图。

具体实施方式

下面对本实用新型技术进行进一步描述：

如图1所述，一种免吸收电容的静态无功补偿器，包括：包括六个绝缘栅双极型晶体管IGBT、一个薄膜电容、一组正母线及一组负母线；其中六个绝缘栅双极型晶体管IGBT与正母线和负母线排列成三相全桥形式，一个薄膜电容器并入正母线和负母线之间。

本实用新型采用聚乙烯薄膜电容取代电解电容，来稳定电压波动，免去吸收电容，从而减小了无功补偿器体积尺寸。所述薄膜电容的替换不限于无功补偿器的各种拓扑结构。