[实用新型]一种适用于太阳能电池硅片的扩散装置

说明书

本实用新型公开了一种适用于太阳能电池硅片的扩散装置，包括扩散炉、设置于所述扩散炉内的石英舟、伸入所述扩散炉内用于通入扩散气体的进气管和排出扩散尾气的尾气管，所述进气管和所述尾气管分别设置于所述石英舟的上下两侧并沿着所述石英舟的长度方向设置，所述尾气管的对应于所述石英舟的两个端部的位置处开设有若干抽气孔，所述石英舟的两个端部设置有可拆卸的挡板，所述挡板靠近所述石英舟的外侧的硅片设置，且所述挡板和该硅片之间的间距与相邻两个硅片之间的间距一致。该扩散装置，能够有效降低石英舟的两侧部的扩散气体，提高两侧部硅片方阻，从而解决了由于方阻异常偏低导致的低效问题。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种适用于太阳能电池硅片的扩散装置。

背景技术

目前，在所有的太阳能电池中，硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能。在未来光伏技术的发展中，硅太阳能电池光电性能的提高，仍然是行业的重中之重。

如图1所示，太阳能电池的制造过程中，硅片的表面需要在扩散炉1中进行扩散工艺处理，其主要其利用杂质原子向半导体芯片内部扩散的方法，改变半导体芯片表面层的导电类型，从而形成P-N结，这也是形成P-N结的主要工艺。

现有的扩散方式，硅片密集的插在石英舟2中，放置于炉管位于进气管3与尾气管4之间，尾气管4的排废方式为炉口抽气形式。位于石英舟2的中间位置处的硅片之间排布相对紧密，但位于石英舟的端部21、22、23、24四个位置处，硅片则完全暴露于炉管当中，该位置处与其他位置的硅片周围的气体分布浓度存在差异，其磷源浓度要明显偏高，导致该位置处硅片在扩散后方块电阻较其他正常部分方阻偏低约30Ω/□。该位置处的方阻异常硅片每炉4片，占正常硅片的比例为0.5％，电池片产品表现为平均效率偏低0.6％以上，低效比例近10％，影响最终成品率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种适用于太阳能电池硅片的扩散装置，能够有效降低石英舟的两侧部的扩散气体，提高两侧部硅片方阻，从而解决了由于方阻异常偏低导致的低效问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种适用于太阳能电池硅片的扩散装置，包括扩散炉、设置于所述扩散炉内的石英舟、伸入所述扩散炉内用于通入扩散气体的进气管和排出扩散尾气的尾气管，

所述进气管和所述尾气管分别设置于所述石英舟的上下两侧并沿着所述石英舟的长度方向设置，所述尾气管的对应于所述石英舟的两个端部的位置处开设有若干抽气孔，

所述石英舟的两个端部设置有可拆卸的挡板，所述挡板靠近所述石英舟的外侧的硅片设置，且所述挡板和该硅片之间的间距与相邻两个硅片之间的间距一致。

其中，若干所述抽气孔分布于所述尾气管的一个或一个以上的横截面上，每个所述横截面上设置有多个所述抽气孔。

其中，一个以上的所述横截面均匀间隔设置，且相邻两个所述横截面之间的间距为0.5～1.5cm。

其中，至少一个所述横截面与所述石英舟的外侧的硅片对齐。

其中，所述横截面的数量为1～3个，每个所述横截面上设置有至少3个所述抽气孔。

其中，所述抽气孔的孔径为1.5～2.5mm。

其中，位于外侧的两个所述横截面之间的距离为3.5～4.5cm。

其中，所述石英舟的两个端部分别设置有挡板槽，所述挡板插入所述挡板槽中。

其中，所述挡板槽的宽度为所述石英舟的舟槽的3倍，所述挡板的厚度为2.5～3.5mm。

其中，所述挡板为石英挡板。