[实用新型]一种推挽式保护电路有效

专利信息
申请号: 201721416786.0 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN207442694U 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 蓝锦;蒙山 申请(专利权)人: 深圳市易星标技术有限公司
主分类号: H02M1/38 分类号: H02M1/38
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 王利彬
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 开关管 推挽式 外部负载 本实用新型 驱动电信号 输出单元 输出端 输出 电路 电路设计领域 单片机MCU 串联节点 接通状态 控制信号 时序混乱 高阻态 串联
【权利要求书】:

1.一种推挽式保护电路,其特征在于,所述推挽式保护电路包括控制单元和推挽式输出单元;所述推挽式输出单元包括串联的第一保护开关管和第二保护开关管,且第一保护开关管和第二保护开关管之间的串联节点引出一输出端以对外部负载输出电信号;

所述控制单元,与所述推挽式输出单元相连接,用于当接收到驱动电信号时,根据所述驱动电信号的类型对所述第一保护开关管和第二保护开关管的状态进行控制,且每次控制所述第一保护开关管和第二保护开关管中的至多一个处于接通状态,使得所述输出端输出VCC、地信号或高阻态给外部负载。

2.如权利要求1所述的推挽式保护电路,其特征在于,所述控制单元包括在电源VCC端和接地端之间依次串联的第二电阻、控制电路、第一电阻;

所述第一保护开关管为PMOS管,且所述PMOS管的栅极连接所述控制电路与所述第一电阻的串联节点,所述PMOS管的源极连接电源VCC端;

所述第二保护开关管为NMOS管,且所述NMOS管的栅极连接所述控制电路与所述第二电阻的串联节点,所述NMOS管的源极连接接地端,所述NMOS管的漏极连接所述PMOS管的漏极并一起连接所述输出端;

所述控制电路用于接收所述驱动电信号,根据所述驱动信号的类型对所述第一保护开关管和第二保护开关管的状态进行控制,且每次控制所述第一保护开关管和第二保护开关管中的至多一个处于接通状态。

3.根据权利要求2所述的推挽式保护电路,其特征在于,所述控制电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管;

所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阳极同时连接到所述第二电阻与所述NMOS管栅极的串联节点,所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阴极同时连接到所述第一电阻与所述PMOS管栅极的串联节点,所述第一二极管的阴极连接所述第四二极管的阳极,所述第二二极管的阴极连接所述第三二极管的阳极;

所述第一二极管的阴极与所述第四二极管的阳极的连接节点作为第一驱动电信号输入端,所述第二二极管的阴极与所述第三二极管的阳极的连接节点作为第一驱动电信号输入端,且第一驱动电信号和第二驱动电信号同时被输入。

4.根据权利要求3所述的推挽式保护电路,其特征在于,所述推挽式保护电路还包括控制源单元;

所述控制源单元,与所述控制电路相连接,用于发送第一驱动电信号至所述第一驱动电信号输入端,发送第二驱动电信号至所述第二驱动电信号输入端。

5.根据权利要求4所述的推挽式保护电路,其特征在于,所述控制源单元为支持并行输出的移位寄存器。

6.根据权利要求5所述的推挽式保护电路,其特征在于,所述移位寄存器的并行输出的第一驱动电信号和第二驱动电信号不会同时为高阻态,且第一驱动电信号和第二驱动电信号同时为高电平、或同时为低电平、或一个为高电平另一个为低电平。

7.根据权利要求5或6所述的推挽式保护电路,其特征在于,所述移位寄存器的型号为74HC595。

8.根据权利要求2所述的推挽式保护电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值为4.7KΩ。

9.根据权利要求2所述的推挽式保护电路,其特征在于,所述第二电阻的阻值为4.7KΩ。

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