[实用新型]一种推挽式保护电路有效
申请号: | 201721416786.0 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN207442694U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 蓝锦;蒙山 | 申请(专利权)人: | 深圳市易星标技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/38 | 分类号: | H02M1/38 |
代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 王利彬 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关管 推挽式 外部负载 本实用新型 驱动电信号 输出单元 输出端 输出 电路 电路设计领域 单片机MCU 串联节点 接通状态 控制信号 时序混乱 高阻态 串联 | ||
本实用新型适用于电路设计领域,提供了一种推挽式保护电路,包括控制单元和推挽式输出单元;推挽式输出单元包括串联的第一保护开关管和第二保护开关管,且第一保护开关管和第二保护开关管之间的串联节点引出一输出端以对外部负载输出电信号;控制单元,用于当接收到驱动电信号时,根据驱动电信号的类型对第一保护开关管和第二保护开关管的状态进行控制,且每次控制第一保护开关管和第二保护开关管中的至多一个处于接通状态,使得输出端输出VCC、地信号或高阻态给外部负载。本实用新型实施例不需要通过软件进行控制,避免了当单片机MCU因为时序混乱而导致输出至外部负载的控制信号出现问题的情况。
技术领域
本实用新型属于电路设计领域,尤其涉及一种推挽式保护电路。
背景技术
目前已有的保护MOS管上下互通的保护方法,都是通过软件或时序来避免逻辑竞争,或者通过外部增加冗余的硬件来进行保护。
通过增加复杂的硬件电路能解决MOS管上下互通带来的逻辑竞争问题,但是这不仅增加硬件电路的不确定性,而且增加更多的成本和风险。
而通过软件或时序可以避免逻辑竞争的问题,但是当单片机MCU进行上电或受外部干扰时容易导致上下管子短路情况,而且单片机MCU上装载的软件也难以避免出现时序错误,如上电瞬间,单片机MCU还没初始化时,该状态为不定态,容易导致硬件电路出现问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种推挽式保护电路,旨在解决现有技术中在对MOS管进行上下互通保护时,增加硬件电路会增加不确定性、更多的成本和风险,通过软件控制不可避免的出现时序错误的问题。
本实用新型是这样实现的,一种推挽式保护电路,包括控制单元和推挽式输出单元;所述推挽式输出单元包括串联的第一保护开关管和第二保护开关管,且第一保护开关管和第二保护开关管之间的串联节点引出一输出端以对外部负载输出电信号;
所述控制单元,与所述推挽式输出单元相连接,用于当接收到驱动电信号时,根据所述驱动电信号的类型对所述第一保护开关管和第二保护开关管的状态进行控制,且每次控制所述第一保护开关管和第二保护开关管中的至多一个处于接通状态,使得所述输出端输出VCC、地信号或高阻态给外部负载。
进一步地,所述控制单元包括在电源VCC端和接地端之间依次串联的第二电阻、控制电路、第一电阻;
所述第一保护开关管为PMOS管,且所述PMOS管的栅极连接所述控制电路与所述第一电阻的串联节点,所述PMOS管的源极连接电源VCC端;
所述第二保护开关管为NMOS管,且所述NMOS管的栅极连接所述控制电路与所述第二电阻的串联节点,所述NMOS管的源极连接接地端,所述NMOS管的漏极连接所述PMOS管的漏极并一起连接所述输出端;
所述控制电路用于接收所述驱动电信号,根据所述驱动信号的类型对所述第一保护开关管和第二保护开关管的状态进行控制,且每次控制所述第一保护开关管和第二保护开关管中的至多一个处于接通状态。
进一步地,所述控制电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管;
所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阳极同时连接到所述第二电阻与所述NMOS管栅极的串联节点,所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阴极同时连接到所述第一电阻与所述PMOS管栅极的串联节点,所述第一二极管的阴极连接所述第四二极管的阳极,所述第二二极管的阴极连接所述第三二极管的阳极;
所述第一二极管的阴极与所述第四二极管的阳极的连接节点作为第一驱动电信号输入端,所述第二二极管的阴极与所述第三二极管的阳极的连接节点作为第一驱动电信号输入端,且第一驱动电信号和第二驱动电信号同时被输入。
进一步地,所述推挽式保护电路还包括控制源单元;
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