[实用新型]一种高电源抑制比电流偏置电路

权利要求书

1.一种高电源抑制比电流偏置电路，其特征在于，包括为所述偏置电路提供启动点的启动子电路、连接于所述启动子电路并用于放大电路电流的放大子电路、和连接所述放大子电路的电流源子电路及用于镜像电路电流的电流镜子电路，所述放大子电路、电流源子电路和所述电流镜子电路之间还设有高阻节点，所述放大子电路和所述电流镜子电路连接于电流源子电路和第一电容，所述电流源子电路为所电流偏置电路提供偏置电流，所述第一电容为所述电流偏置电路提供稳定电容。

2.根据权利要求1所述的高电源抑制比电流偏置电路，其特征在于，所述启动子电路包括第一电阻、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、和第四场效应管，所述第一电阻一端连接于所述第一场效应管的漏极、所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的栅极，所述第一电阻的另一端连接于所述第二场效应管的源极、第四场效应管的源极以及电源端；所述第一场效应管连接于第二场效应管和第三场效应管，第二场效应管和第三场效应管分别连接于第四场效应管。

3.根据权利要求2所述的高电源抑制比电流偏置电路，其特征在于，所述第一场效应管栅极接地、漏极连接于所述第二场效应管和所述第三场效应管的栅极；所述第二场效应管、所述第三场效应管与第四场效应管的漏极相互连接，所述第二场效应管与所述第三场效应管的栅极相互连接，所述第二场效应管的源极连接于所述第四场效应管的源极和所述电源端；所述第三场效应管的源极接地；所述第四场效应管源极连接于所述电源端。

4.根据权利要求3所述的高电源抑制比电流偏置电路，其特征在于，所述放大子电路包括连接于所述第二场效应管和所述第四场效应管的第五场效应管，连接于所述第五场效应管和所述第一场效应管的第六场效应管；所述第五场效应管的源极连接于所第二场效应管和第四场效应管的源极，所述第五场效应管的栅极和漏极连接于所述第六场效应管漏极；所述第六场效应管的栅极连接于第一场效应管的栅极和所述第一电容，所述第六场效应管的源极接地。

5.根据权利要求4所述的高电源抑制比电流偏置电路，其特征在于，电流镜子电路包括栅极相互连接的第七场效应管和第八场效应管；所述第七场效应管的源极连接于所述第二场效应管的源极、第四场效应管的源极、第五场效应管的源极和第八场效应管的源极，所述第七场效应管的栅极连接于所述第六场效应管的漏极以及所述第五场效应管栅极和漏极，所述第七场效应管的漏极连接于所述第六场效应管的栅极和所述第一电容；所述第八场效应管的源极连接于所述第七场效应管的源极。

6.根据权利要求5所述的高电源抑制比电流偏置电路，其特征在于，电流源子电路包括栅极相互连接的第九场效应管和第十场效应管，所述第九场效应管的源极和所述第十场效应管的源极分别连接于第二电阻的两端，所述第九场效应管的源极接地，所述第九场效应管的漏极连接于所述第六场效应管的栅极和所述第七场效应管的漏极；所述第十场效应管的漏极连接于所述第九场效应管的栅极和所述第八场效应管的漏极。

7.根据权利要求6所述的高电源抑制比电流偏置电路，其特征在于，所述第一场效应管的栅极、所述第四场效应管的漏极、第六场效应管的栅极、所述第七场效应管的漏极以第九场效应管的漏极及相连以形成所述高阻节点。