[实用新型]一种高电源抑制比电流偏置电路

说明书

本实用新型公开了一种高电源抑制比电流偏置电路，涉及集成电路技术领域。该高电源抑制比电流偏置电路包括为偏置电路提供启动点的启动子电路、连接于启动子电路并用于放大电路电流的放大子电路、和连接放大子电路的电流源子电路及用于镜像电路电流的电流镜子电路，放大子电路、电流源子电路和电流镜子电路之间还设有高阻节点，放大子电路和电流镜子电路连接于电流源子电路和第一电容，电流源子电路为流偏置电路提供偏置电流，第一电容为电流偏置电路提供稳定电容。本实用新型的技术方案通过启动子电路为偏置电路提供启动点，由放大子电路、电流源子电路和所述电流镜子电路为偏置电路提供稳定的偏置电流，使整体芯片性能显著提高。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种高电源抑制比电流偏置电路。

背景技术

目前，在模拟芯片设计中，很多电路(例如运算放大器，比较器) 都需要电流偏置电路，用来提供电流偏置工作点。因此电流偏置电路在集成电路设计中设计的好坏直接影响电路的性能。同时，对于宽电源电压范围供电系统中，设计一个高电源抑制比电流偏置电路显得尤为重要。在现有技术中，电路偏置电路产生的偏置电流大多会随着电源电压的变化而变化，影响ADC（Analog-to-Digital Converter，模数转换器）、DAC（Digital toanalog converter，数模转换器）和运放等模块的使用，芯片整体性能较低。

发明内容

本实用新型的主要目的是提供一种，旨在使电流偏置电路产生一个几乎不随电源电压变化的偏置电流、使整体芯片性能显著提高。

为实现上述目的，本实用新型提供一种高电源抑制比电流偏置电路，包括为所述偏置电路提供启动点的启动子电路、连接于所述启动子电路并用于放大电路电流的放大子电路、和连接所述放大子电路的电流源子电路及用于镜像电路电流的电流镜子电路，所述放大子电路、电流源子电路和所述电流镜子电路之间还设有高阻节点，所述放大子电路和所述电流镜子电路连接于电流源子电路和第一电容，所述电流源子电路为所电流偏置电路提供偏置电流，所述第一电容为所述电流偏置电路提供稳定电容。

优选地，所述启动子电路包括第一电阻、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、和第四场效应管，所述第一电阻一端连接于所述第一场效应管的漏极、所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的栅极，所述第一电阻的另一端连接于所述第二场效应管的源极、第四场效应管的源极以及电源端；所述第一场效应管连接于第二场效应管和第三场效应管，第二场效应管和第三场效应管分别连接于第四场效应管。

优选地，所述第一场效应管栅极接地、漏极连接于所述第二场效应管和所述第三场效应管的栅极；所述第二场效应管、所述第三场效应管与第四场效应管的漏极相互连接，所述第二场效应管与所述第三场效应管的栅极相互连接，所述第二场效应管的源极连接于所述第四场效应管的源极和所述电源端；所述第三场效应管的源极接地；所述第四场效应管源极连接于所述电源端。

优选地，所述放大子电路包括连接于所述第二场效应管和所述第四场效应管的第五场效应管，连接于所述第五场效应管和所述第一场效应管的第六场效应管；所述第五场效应管的源极连接于所第二场效应管和第四场效应管的源极，所述第五场效应管的栅极和漏极连接于所述第六场效应管漏极；所述第六场效应管的栅极连接于第一场效应管的栅极和所述第一电容，所述第六场效应管的源极接地。

优选地，电流镜子电路包括栅极相互连接的第七场效应管和第八场效应管；所述第七场效应管的源极连接于所述第二场效应管的源极、第四场效应管的源极、第五场效应管的源极和第八场效应管的源极，所述第七场效应管的栅极连接于所述第六场效应管的漏极以及所述第五场效应管栅极和漏极，所述第七场效应管的漏极连接于所述第六场效应管的栅极和所述第一电容；所述第八场效应管的源极连接于所述第七场效应管的源极。