[实用新型]切割及湿法腐蚀双结合的封装结构有效
| 申请号： | 201721450043.5 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN207451614U | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘泽文;杨中宝;龚著浩;梅剡粼 | 申请（专利权）人： | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州唯亚智冠知识产权代理有限公司 32289 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装结构 湿法腐蚀 切割 衬底圆片 盖板 圆片 键合 传输线 切割机 本实用新型 产品成品率 腐蚀液腐蚀 独立芯片 键合工艺 切割过程 生产效率 引线焊盘 引出线 圆片级 飞溅 崩刀 焊盘 漏出 碎屑 | ||
【权利要求书】：
1.切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，包括有衬底圆片，其特征在于：所述衬底圆片上分布有引线焊盘，所述引线焊盘上分布有MEMS器件，所述引线焊盘位于MEMS器件的外围，设置有键合环，所述键合环的顶端分布有括盖板圆片。
2.根据权利要求1所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述盖板圆片的厚度为300至600um。
3.根据权利要求2所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述盖板圆片的厚度为500um。
4.根据权利要求1所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述衬底圆片的厚度为300至600um。
5.根据权利要求4所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述衬底圆片的厚度为500um。
6.根据权利要求1所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述键合环的厚度为10至50um。
7.根据权利要求6所述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其特征在于：所述键合环的厚度为20um。
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