[实用新型]切割及湿法腐蚀双结合的封装结构

说明书

本实用新型涉及一种切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，切割及湿法腐蚀双结合的封装结构包括盖板圆片、衬底圆片、键合环，衬底圆片上可长有各种性能的MEMS器件及其引出线，封装结构的盖板圆片和衬底圆片利用键合环通过键合工艺结合在一起，使用切割机对盖板圆片进行不切穿切割，然后使用腐蚀液腐蚀掉未切穿部分使传输线焊盘漏出。由此，结合切割工艺及湿法腐蚀工艺，实现了切割及湿法腐蚀双结合的封装结构引线焊盘的引出，同时避免了普通切割过程中碎屑飞溅致使崩刀的情况，大大提高了圆片级到独立芯片的生产效率及产品成品率。

技术领域

本实用新型涉及一种圆片级封装结构，尤其涉及一种切割及湿法腐蚀双结合的封装结构。

背景技术

圆片级封装(WLP)是在整片晶圆上完成全部或者大部分的封装、测试工序，然后进行切片分割。其是一种先进的封装技术，被广泛应于MEMS器件领域。在MEMS制造中，圆片级封装技术成为微加工中重要的工艺之一，它是微系统封装技术中重要的组成部分。

圆片级封装中导线互连通常有两种方法，即纵向通孔型(TSV技术)和横向埋线型两种。TSV技术实现的垂直方式的导线互连技术虽然能大大提高引线的密度，但TSV技术的成本较高，对于引线密度要求不高的MEMS器件来说并没有太大优势，同时也造成了衬底材料较大的应力。横向引线互连的结构简单，成本相对较低，非常适用于引线数量少的MEMS器件的封装。

但是，横向引线互连结构需要将盖板圆片非器件区域切除以漏出引线焊盘，盖板圆片与下方的衬底圆片一般间距很小，在几十微米范围，以常规的方法进行切割，往往会遇到两个问题：1.由于切割机Z轴运行精度、切割前贴膜时蓝膜厚误差以及贴膜过程中接触面不可避免的微气泡影响，切割深度无法精准控制，致使将盖板圆片非器件区域切除时划伤下方衬底圆片上的引线焊盘，从而造成器件失效；2.盖板圆片非器件区域切除时，块状的玻璃或者硅碎屑飞溅经常触碰到刀片，致使刀片损坏，严重可能影响到机器的正常功能使用。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，使其更具有产业上的利用价值。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种切割及湿法腐蚀双结合的封装结构。

本实用新型的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，包括有衬底圆片，其中：所述衬底圆片上分布有引线焊盘，所述引线焊盘上分布有MEMS器件，所述引线焊盘位于MEMS器件的外围，设置有键合环，所述键合环的顶端分布有括盖板圆片。

进一步地，上述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其中，所述盖板圆片的厚度为300至600um。

更进一步地，上述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其中，所述盖板圆片的厚度为500um。

更进一步地，上述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其中，所述衬底圆片的厚度为300至600um。

更进一步地，上述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其中，所述衬底圆片的厚度为500um。

更进一步地，上述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其中，所述键合环的厚度为10至50um。

更进一步地，上述的切割及湿法腐蚀双结合的封装结构，其中，所述键合环的厚度为20um。

借由上述方案，本实用新型至少具有以下优点：

1、采用有机键合环-硅衬底和硅盖板-有机键合环-玻璃衬底两种键合封装结构，并针对每种结构提出结合湿法腐蚀工艺的结构划片方法，使用切割机对盖板圆片进行不切穿切割。

2、实现了圆片级封装横向引线互连结构引线焊盘的引出，同时避免了普通切割过程中碎屑飞溅致使崩刀的情况，大大提高了圆片级到独立芯片的生产效率及产品成品率。