[实用新型]一种集成电路封装产品脱膜用脱膜装置有效
申请号: | 201721466481.0 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN207611750U | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 成都新澳冠医疗器械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 赵宇 |
地址: | 611430 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 脱膜 集成电路封装 脱膜装置 导向杆 电控箱 下模座 本实用新型 电控传感器 接线盒 滤光片 上模座 传输线 磁力传导 弹性簧片 电流输出 电线插口 连接法兰 设备损毁 操控键 电极柱 调速器 螺杆轴 上模板 磁钢 阀芯 壳体 滤芯 激活 人手 传输 供电 发射 辐射 检测 | ||
1.一种集成电路封装产品脱膜用脱膜装置,其结构包括脱膜滤芯(1)、电控传感器(2)、连接法兰(3)、上模座(4)、导向杆(5)、下模座(6)、操控键(7)、电线插口(8)、调速器(9)、电控箱(10)、螺杆轴(11),所述电控箱(10)两侧切面边长相等平行的长方体结构,且内部真空外壁硬实,顶部截面中央设有下模座(6),其特征在于:
所述脱膜滤芯(1)为内部空心的圆柱体结构,外壁直径比内壁直径多增加0.5cm,底部截面焊接在下模座(6)顶部截面中央,所述传感器(2)设在上模座(4)顶部截面侧方边沿且采用过盈配合,所述连接法兰(3)为内外硬实的圆柱体结构,顶部与底部截面圆形直径为2cm,设在上模座(4)顶部截面左右两边边沿,与传感器(2)侧方间距为3.5cm,所述上模座(4)两侧截面边长相等,表面高度为2cm,顶部与底部呈八边形,焊接在导向杆(5)顶部截面且相互垂直,所述导向杆(5)通过上模座(4)与连接法兰(3)采用过盈配合,所述下模座(6)与上模座(4)形状相同长度相等,通过导向杆(5)与上模座(4)采用过盈配合,所述操控键(7)表面为;两边长度相等平行的长方形,焊接在电控箱(10)表面右上角,所述电线插口(8)表面圆形直径为2cm,贯穿焊接在电控箱(10)侧方左侧截面左下角,所述调速器(9)设在电控箱(10)表面上方左侧边沿,与操控键(7)侧方间距为8cm,所述螺杆轴(11)为左宽右窄的圆柱体结构,设在下模座(6)侧方间距中央且采用过盈配合,所述螺杆轴(11)通过下模座(6)连接导向杆(5);
所述电控传感器(2)由接线盒(201)、电极柱(202)、壳体(203)、滤光片(204)、窗口(205)、磁钢(206)、弹性簧片(207)组成,所述接线盒(201)为左宽右窄的圆柱体结构,侧方截面中央设有电极柱(202),所述电极柱(202)为两侧长度相等的长方体结构,通过电极柱(202)与壳体(203)采用过盈配合,所述壳体(203)为外壁硬实的圆柱体结构,内壁厚度为0.5cm,左侧截面中央设有窗口(205),所述窗口(205)为内部空心外部硬实的圆柱体结构,通过壳体(203)与电极柱(202)采用过盈配合,所述磁钢(206)为圆柱体结构,侧方截面焊接在弹性簧片(207)侧方截面中央,所述滤光片(204)通过磁钢(206)与弹性簧片(207)采用过盈配合。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路封装产品脱膜用脱膜装置,其特征在于:所述脱膜滤芯(1)为圆柱体结构焊接在下模座(6)顶部中央。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路封装产品脱膜用脱膜装置,其特征在于:所述电极柱(202)为长方体结构与上模座(4)采用过盈配合。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路封装产品脱膜用脱膜装置,其特征在于:所述连接法兰(3)为圆柱体结构与导向杆(5)采用间隙配合。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路封装产品脱膜用脱膜装置,其特征在于:所述调速器(9)与电控箱(10)采用过盈配合。
6.根据权利要求1所述的一种集成电路封装产品脱膜用脱膜装置,其特征在于:所述螺杆轴(11)与下模座(6)采用过盈配合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都新澳冠医疗器械有限公司,未经成都新澳冠医疗器械有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721466481.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造