[实用新型]电容器阵列结构

权利要求书

1.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上，所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，所述电容器阵列结构包括：

下电极层，接合于所述焊盘上，所述下电极层的截面形状为U型；

电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；

上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面；及

上电极填充层，覆盖所述上电极层的外表面，并填满所述上电极层之间的间隙，所述上电极填充层的材质包含硼掺杂锗硅(B-doped SiGe)。

2.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述电容器阵列还包括顶层支撑层、中间支撑层及底层支撑层，形成于所述半导体衬底上并连接所述下电极层，所述顶层支撑层位于所述下电极层的开口外围，所述中间支撑层位于所述下电极层的中间部位，所述底层支撑层位于所述下电极层的底部外围。

3.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述上电极填充层的上表面相较于位于所述下电极层顶部上方的所述上电极层的上表面高出10nm～100nm，所述上电极填充层填满所述下电极层的孔中心。

4.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述上电极填充层的锗含量的重量百分比为40％～80％。

5.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述上电极填充层中的载流子迁移率为多晶硅层中载流子迁移率的1.2倍～3倍。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器阵列结构，其特征在于：还包括后段金属导线层，位于所述上电极填充层上。

7.根据权利要求6所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述电容器阵列结构还包括上电极连接层，形成于所述上电极填充层的上表面，所述上电极连接层位于所述上电极填充层与所述后段金属导线层之间。

8.根据权利要求7所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述上电极连接层的材质包含硼掺杂多晶硅(B-doped poly silicon)，所述上电极连接层的厚度为50nm～150nm。

9.一种半导体存储器件结构，其特征在于，所述半导体存储器件结构包括如权利要求1所述的电容器阵列结构。