[实用新型]一种砷化镓晶片样品保存装置有效
| 申请号： | 201721470469.7 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN207303060U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王文昌;于会永;荆爱明;穆成锋;张军军;赵春峰;袁韶阳 | 申请（专利权）人： | 大庆佳昌晶能信息材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 163000 黑龙江省大庆*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 晶片 样品 保存 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种砷化镓晶片样品保存装置，其特征在于：包括箱体(2)和插在箱体(2)内的抽拉盒(3)，所述的箱体(2)顶部设置有提手(4)，箱体(2)的底部设置有缓冲组件(1)，所述的抽拉盒(3)共有两列，每个抽拉盒(3)上朝向箱体(2)背面的一侧与箱体(2)之间通过一个单独的反弹自锁器(5)连接，反弹自锁器(5)的主体部分固定安装在箱体(2)上，反弹自锁器(5)的锁舌(6)固定安装在抽拉盒(3)上，所述的抽拉盒(3)内设置有垫板(11)，垫板(11)上设置有与晶片的直径相适应的晶片槽(10)，在不同的抽拉盒(3)内，垫板(11)上的晶片槽(10)可以相同，也可以不同，所述的垫板(11)的上方设置有压板(12)，压板(12)铰接在抽拉盒(3)的边缘。
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片样品保存装置，其特征在于：所述的缓冲组件(1)的结构包括滑套(7)和滑杆(9)，滑杆(9)插装在滑套(7)内，滑杆(9)上套有起缓冲作用的弹簧(8)，弹簧(8)的两端夹在滑套(7)和滑杆(9)之间。
3.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片样品保存装置，其特征在于：所述的垫板(11)和压板(12)均由泡沫制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
