[实用新型]一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置

说明书

一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置包括待处理的电池片、位于电池片上方的喷淋装置及抽气装置，所述喷淋装置为两组呈相对设置的喷淋装置，所述电池片置于两组喷淋装置之间，所述两组喷淋装置的两侧端均设置有抽气装置，在两组喷淋装置及四组抽气装置运行状态下，抽气口设置在外侧，增加了气氛区的面积，使硅片在气氛区的时间变长，电池边缘及侧面受到钝化气体的处理更充分，从而钝化效果更好，增加钝化气体与电池片的接触次数，增加钝化效果，特别是对电池背面的边缘裸露区域以及电极与铝背场之间的裸露区域，实现了电池背面和侧面的全钝化。

技术领域

本发明属于晶硅太阳能电池制作领域，具体涉及一种对晶硅太阳能电池片一步实现双面SiO2钝化装置。

背景技术

当前常规电池为提高抗PID效果，一般通过O3或笑气处理电池片扩散后绒面，在电池p-n结与氮化硅膜层之间生长一层SiO2层，利用SiO2层的高致密性阻挡金属Na离子浸入p-n结。同时，SiO2与Si匹配性更好；可有效降低Si表面的界面态密度，减少硅片表面的高复合缺陷，对硅片表面有更好的钝化作用，从而提高电池的性能。

晶硅太阳能电池的背面高复合缺陷也是晶硅太阳能电池需要改善和解决的重要问题；由于硅片背面的铝背场距离电池边缘存在约0.5~1mm的距离，这部分区域的硅未经过钝化处理而直接裸露在外面，是电池背面高复合的重要来源之一；背面银电极与铝背场交界的地方也存在裸露的硅，也是电池背面高复合的重要来源之一。

目前利用SiO2钝化处理硅片一般仅钝化处理硅片的绒面，硅片的背面SiO2钝化处理仅在PERC等特殊结构的高效电池上有少量使用，而且工艺复杂，并需要特殊的设备，成本太高；并且缺少SiO2的双面钝化处理设备，常规设备为单面SiO2钝化处理设备，如现有技术CN 105839194 A，为了充分使电池单面钝化，只能进行单面钝化工艺，而在单面钝化后，又需要将电池片翻转进行另一面的钝化；之所以现有技术无法实现双面钝化，是因为钝化过程需要首先保证钝化的效果，而如果同时进行双面钝化，就需要保证电池片背面的钝化气体能够存在足够的时间，从而完成有效钝化，但恰恰由于现有技术无法解决这一问题，导致只能进行单面钝化，单面钝化完毕后翻转电池片才能进行反面钝化，这一缺陷，大大增加了生产成本，并增加了耗时。

该工艺方法较繁琐，且需要2台以上的SiO2钝化处理设备，不适合大规模推广使用，且抽风组件设置于喷淋组件下方，O3直接被抽走，喷淋区边缘直接与外部环境相连，受外部气流影响较大，较难形成稳定的O3气氛区，从而在电池表面生成的SiO2钝化层均匀性较差。

发明内容

为解决上述缺陷，本发明提供一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置，其通过采用抽气装置相对设置，从而稳定气氛区溢出的气体抽走，在三个方向气体干扰的情况下，有效在电池片背面形成气氛区，增加钝化气流的存在时间，同时对钝化气流进行扰动，从而增加钝化气体的覆盖均匀性，从而增加钝化效果，一步实现电池片的双面钝化。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置包括待处理的电池片、位于电池片上方的喷淋装置及抽气装置，所述喷淋装置为两组呈相对设置的喷淋装置，所述电池片置于两组喷淋装置之间，所述两组喷淋装置的两侧端均设置有抽气装置，在两组喷淋装置及四组抽气装置运行状态下，抽气装置对喷淋装置所喷淋的气体进行干扰，分别在电池片上方及电池片下方形成气氛区，从而对电池片双面进行有效钝化；本技术方案通过分别在电池片上方的喷淋装置两侧端及电池片下方的喷淋装置两侧端设置抽气装置，从而同时在电池片顶面上方及电池片背面下方形成气流相互干扰下形成稳定的气氛区，从而增加钝化气体扰动性，增加钝化气体与电池片的接触次数，从而增加钝化效果，特别是对电池背面的边缘裸露区域以及电极与铝背场之间的裸露区域，实现了电池背面和侧面的全钝化，从而提升了电池的性能，同时简化了电池制造工艺步骤，省去了翻片设备等设备投入，降低了生产制造成本。