[实用新型]掩膜版及存储器

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

一基板，所述基板上具有多个第一线形图案和多个第二线形图案；其中，

所述第一线形图案的形状呈波浪线形并沿着第一方向延伸，所述第二线形图案沿着第二方向延伸，所述第二线形图案和所述第一线形图案的相交处构成交叉点，所述交叉点对准呈波浪线形的所述第一线形图案的峰点或谷点，并且对准于所述交叉点的所述峰点或所述谷点的形状呈弧形。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点和所述谷点的形状呈弧形，同一条呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点在所述第一方向上呈一直线行排列且同一条呈波浪线形的所述第一线形图案的所述谷点在所述第一方向上呈另一直线行排列。

3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，多个呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点在与同一条所述第二线形图案相交的所述第二方向上对准呈一直线列排列，且多个呈波浪线形的所述第一线形图案的所述谷点在与同一条所述第二线形图案相交的所述第二方向上对准呈另一直线列排列。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二线形图案为直线形图案。

5.如权利要求1～4中任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的图案用于定义出一存储器中的存储节点接触，其中，所述存储节点接触对应所述交叉点。

6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的图案还用于定义出所述存储器中与所述存储节点接触连接的电容器，其中，所述电容器对应所述交叉点。

7.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：

一衬底，所述衬底中形成有多个有源区，所述衬底上形成有多根沿第一方向延伸的位线结构及多根沿第二方向延伸的隔离线，所述位线结构包括位线导体及覆盖所述位线导体的位线隔离层，所述位线结构和所述隔离线在所述衬底上相交并界定出多个接触窗，且所述有源区中的一个漏极对准一个所述接触窗；

多个存储节点接触，利用一连接材料层填充所述接触窗构成，并且所述存储节点接触延伸覆盖所述位线隔离层的部分，所述连接材料层具有开口，所述开口位于相邻的所述存储节点接触之间，所述开口从所述连接材料层的顶部延伸至所述位线隔离层中还延伸至所述隔离线的顶面，以使所述存储节点接触的侧壁部分、所述位线隔离层的缺口部分和所述隔离线暴露在所述开口中，相邻的所述存储节点接触之间通过所述开口和所述位线隔离层予以相互分隔，所述存储节点接触的上表面中心点相对偏离对应的所述接触窗的中心点；及

一节点接触隔离，填充在所述开口中。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

多个电容器，所述电容器形成在所述存储节点接触的上表面，并所述电容器的底电极与所述存储节点接触电连接，所述电容器呈细长筒状。